特許
J-GLOBAL ID：201603000740472721
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-219637
公開番号（公開出願番号）：特開2016-086131
出願日： 2014年10月28日
公開日（公表日）： 2016年05月19日
要約：
【課題】基板表面の面荒れやステップバンチング、裏面電極の剥離を抑制することができ、かつ活性化率の高い不純物領域を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】炭化珪素基板とのオーミックコンタクトをなす裏面電極を備えた炭化珪素半導体装置を製造するにあたって、まず、炭化珪素からなるエピタキシャルウェハ10に不純物をイオン注入した後、スパッタリング法により、エピタキシャルウェハ10のおもて面および裏面にそれぞれSP2結合が支配的なカーボン保護膜13-1,13-2を形成する。次に、高温熱処理により、カーボン保護膜13-1,13-2によって両面を保護した状態のエピタキシャルウェハ10を加熱し、エピタキシャルウェハ10に注入した不純物を活性化させる。その後、カーボン保護膜13-1,13-2を除去し、エピタキシャルウェハ10の裏面にニッケルシリサイド層および裏面電極積層体を順に形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
炭化珪素からなる半導体基板に不純物を注入する第1工程と、
スパッタリング法により、前記半導体基板の表面に炭素を主成分とする保護膜を形成する第2工程と、
前記保護膜を形成した状態で前記半導体基板を熱処理し、前記不純物を活性化させる第3工程と、
前記第3工程後、前記保護膜を除去する第4工程と、
前記第4工程後、前記半導体基板の、前記保護膜によって保護されていた表面に金属電極を形成する第5工程と、
を含み、
前記第2工程では、SP2混成軌道をとる炭素原子とSP3混成軌道をとる炭素原子とが混在し、かつ前記SP3混成軌道をとる炭素原子よりも前記SP2混成軌道をとる炭素原子の割合が多い前記保護膜を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (7件)：
H01L21/265 602A
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301S
, H01L21/28 A
, H01L21/265 Z
, H01L21/265 602B
, H01L21/265 F
4M104AA03
, 4M104BB14
, 4M104BB21
, 4M104CC01
, 4M104DD26
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD78
, 4M104DD84
, 4M104FF02
, 4M104GG02
, 4M104GG03
, 4M104GG09
, 4M104GG14
, 4M104HH08
