特許
J-GLOBAL ID：201703013548411486

磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置

発明者：
才田 大輔

才田 大輔 について

, 
板井 翔吾

板井 翔吾 について

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鎌田 親義

鎌田 親義 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-057563
公開番号（公開出願番号）：特開2017-174905
特許番号：特許第6216403号
出願日： 2016年03月22日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1磁性層と、 第2磁性層と、 前記第1磁性層の第1部分と前記第2磁性層との間に設けられた第3磁性層と、 前記第2磁性層と前記第3磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、 を備え、 前記第1磁性層は、前記第1磁性層の前記第1部分とは異なる第2部分をさらに含み、前記第2部分の少なくとも一部は、前記第1磁性層の前記第1部分から前記第2磁性層に向かう第1方向に対して直交する第2方向において、前記第3磁性層の少なくとも一部と重なる磁気記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 27/105 447 ,  H01L 29/82 Z ,  H01L 43/08 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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