特許

J-GLOBAL ID：201703014036961235

化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法

発明者： 奥 秀彦 ,  秀 一郎
出願人/特許権者： エア・ウォーター株式会社
代理人 (3件)： 椿 豊 ,  石川 竜郎 ,  白鹿 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-113656
公開番号（公開出願番号）：特開2017-150064
出願日： 2016年06月07日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：

【課題】SiC膜の薄膜化を図ることのできる化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体基板1の製造方法は、Si基板11の表面11aにSiC膜12を形成する工程と、Si基板11の裏面11bの少なくとも一部をウエットエッチングにより除去する工程とを備えている。Si基板11の裏面11bの少なくとも一部を除去する工程において、ウエットエッチングに用いる薬液に対してSi基板11およびSiC膜12を相対的に動かす。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

環状の平面形状を有するSi基板と、 前記Si基板の一方の主面に形成され、20nm以上10μm以下の厚さを有するSiC膜とを備え、 前記SiC膜は、前記Si基板の他方の主面には形成されていない、化合物半導体基板。

IPC (4件)：

C23C 16/42 ,  C30B 29/36 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

C23C16/42 ,  C30B29/36 A ,  C23C16/56 ,  H01L21/308 B

Fターム (30件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE04 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA01 ,  4K030LA12 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043EE04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-150085   出願人：ホーヤ株式会社
• 窒化物半導体薄膜を有するSi基板の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-231494   出願人：国立大学法人長岡技術科学大学
• 基板、基板の製造方法、及び電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-124109   出願人：住友電気工業株式会社, 国立大学法人東北大学
• 化合物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-083679   出願人：エア・ウォーター株式会社