特許
J-GLOBAL ID：201703014036961235

化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法

発明者：
奥 秀彦

奥 秀彦 について

, 
秀 一郎

秀 一郎 について


出願人/特許権者：
エア・ウォーター株式会社

エア・ウォーター株式会社 について


代理人 (3件)： 椿 豊 ,  石川 竜郎 ,  白鹿 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-113656
公開番号（公開出願番号）：特開2017-150064
出願日： 2016年06月07日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：
【課題】SiC膜の薄膜化を図ることのできる化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体基板1の製造方法は、Si基板11の表面11aにSiC膜12を形成する工程と、Si基板11の裏面11bの少なくとも一部をウエットエッチングにより除去する工程とを備えている。Si基板11の裏面11bの少なくとも一部を除去する工程において、ウエットエッチングに用いる薬液に対してSi基板11およびSiC膜12を相対的に動かす。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
環状の平面形状を有するSi基板と、 前記Si基板の一方の主面に形成され、20nm以上10μm以下の厚さを有するSiC膜とを備え、 前記SiC膜は、前記Si基板の他方の主面には形成されていない、化合物半導体基板。
IPC (4件)：
C23C 16/42 ,  C30B 29/36 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/308
FI (4件)：
C23C16/42 ,  C30B29/36 A ,  C23C16/56 ,  H01L21/308 B
Fターム (30件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE04 ,  4G077EF01 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA01 ,  4K030LA12 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043EE04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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