基板、基板の製造方法、及び電子装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：片山修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-124109
公開番号（公開出願番号）：特開2014-240340
出願日： 2013年06月12日
公開日（公表日）： 2014年12月25日
要約：

【課題】膜質の良好なグラフェン層を有する基板、基板の製造方法、及び電子装置を提供すること。【解決手段】本発明は、シリコン基板10上に、炭化シリコン層14を形成する工程と、炭化シリコン層14の上面のRMS粗さが12nm以下となるように、炭化シリコン層14の上面を平坦化する工程と、平坦化の工程を行った後、炭化シリコン層14の上面にグラフェン層16を形成する工程と、を備える基板の製造方法である。これによれば、例えばD/Gの値が1.0以下のような、良好な膜質のグラフェン層を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、炭化シリコン層を形成する工程と、前記炭化シリコン層の上面のRMS粗さが12nm以下となるように、前記炭化シリコン層の上面を平坦化する工程と、前記平坦化の工程を行った後、前記炭化シリコン層の上面にグラフェン層を形成する工程と、を備えることを特徴とする基板の製造方法。

IPC (7件)：

C01B 31/02 , C01B 31/36 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 21/205

FI (6件)：

C01B31/02 101Z , C01B31/36 601J , H01L29/78 301B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L21/205

Fターム (57件)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC16A , 4G146AC16B , 4G146AD22 , 4G146AD23 , 4G146AD30 , 4G146BA08 , 4G146BB02 , 4G146BB23 , 4G146BC02 , 4G146BC27 , 4G146BC34B , 4G146MA14 , 4G146MB03 , 4G146MB16B , 4G146MB23 , 4G146MB27 , 4G146NA11 , 4G146NB04 , 4G146NB15 , 4G146NB18 , 4G146NB19 , 4G146PA08 , 5F045AA20 , 5F045AB06 , 5F045AB07 , 5F045AD16 , 5F045AF03 , 5F045DA53 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BC19 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG30 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK29 , 5F140CE05 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (1件)

SiC基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きSiC基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-102620 出願人：山内和人

引用文献：

審査官引用 (5件)

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