特許
J-GLOBAL ID：201703014245051777
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-242366
公開番号（公開出願番号）：特開2015-103630
特許番号：特許第6164062号
出願日： 2013年11月22日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 炭化珪素からなる半導体基板の表面に、ニッケルおよびチタンを含む第1金属層を30nm以上160nm以下の厚さで形成する第1金属層形成工程と、
975°C以上1200°C以下の温度で2分間以上30分間以下の熱処理により前記第1金属層を前記半導体基板と反応させてシリサイド化し、チタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成する熱処理工程と、
前記ニッケルシリサイド層の表面層を少なくとも前記第1金属層の厚さ分除去して、前記ニッケルシリサイド層の厚さを薄くする除去工程と、
前記除去工程後に前記半導体基板の表面に残る前記ニッケルシリサイド層の表面に、第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、
を含み、
前記除去工程では、前記熱処理工程において前記第1金属層よりも厚さの厚くなった炭素析出層を含む前記ニッケルシリサイド層の表面層を、前記第1金属層の厚さよりも15nm以上30nm以下の範囲内で厚い厚さ分除去することで、前記熱処理工程において前記ニッケルシリサイド層の内部に層状に残存した炭素原子からなる前記炭素析出層を除去し、前記ニッケルシリサイド層の、前記炭素析出層よりも前記半導体基板側の部分を残すことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
H01L 21/28 301 S
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/91 Z
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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