半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-150673
公開番号（公開出願番号）：特開2015-023177
特許番号：特許第6213006号
出願日： 2013年07月19日
公開日（公表日）： 2015年02月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に設けられた第1のウェルと、前記半導体基板に、前記第1のウェルから分離して設けられた第2のウェルと、前記第1のウェル内に形成されたショットキーバリアダイオードと、前記第2のウェル内に形成され、PN接合部の不純物濃度が前記ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部の不純物濃度よりも高く、前記ショットキーバリアダイオードに逆並列接続された第1のPN接合ダイオードとを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01) , H01L 29/872 ( 200 6.01) , H01L 29/47 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/06 102 A , H01L 27/088 F , H01L 27/04 H , H01L 29/48 F

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-183917 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-045032 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
特開昭60-132358

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