特許
J-GLOBAL ID：201703015059815941
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-159075
公開番号（公開出願番号）：特開2016-197755
出願日： 2016年08月15日
公開日（公表日）： 2016年11月24日
要約：
【課題】酸化シリコン層又は窒化シリコン層が側壁部に形成されたシリコン含有層の除去を、残渣が生じることなく、かつ、下層膜のロスを生じさせずに行うことができ、良質な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】パターニングされたシリコン含有層を形成する工程と、シリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆う成膜工程と、窒化シリコン層又は酸化シリコン層がシリコン含有層の側壁部に残りシリコン含有層の上面が露出した状態となるように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を除去する選択的除去工程と、窒化シリコン層又は酸化シリコン層によって挟まれたシリコン含有層を選択的に除去し、シリコン含有層より狭い窒化シリコン層又は酸化シリコン層のパターンを形成するプラズマエッチング工程とを具備し、プラズマエッチング工程ではSF6ガスを含むエッチングガスを用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
マスクを用いて基板上にパターニングされたシリコン含有層を形成するシリコン含有層形成工程と、
前記基板上に形成され、前記パターニングされたシリコン含有層の側壁部を窒化シリコン層又は酸化シリコン層で覆うように窒化シリコン層又は酸化シリコン層を形成する成膜工程と、
前記窒化シリコン層又は前記酸化シリコン層が前記パターニングされたシリコン含有層の側壁部に残り、前記パターニングされたシリコン含有層の上面が露出した状態となるように、前記窒化シリコン層又は前記酸化シリコン層を選択的に除去する選択的除去工程と、
前記選択的除去工程の後に、前記パターニングされたシリコン含有層の側壁部に残った前記窒化シリコン層又は前記酸化シリコン層によって挟まれた前記パターニングされたシリコン含有層を選択的に除去し、前記側壁部に形成された前記窒化シリコン層又は前記酸化シリコン層を残して、前記パターニングされたシリコン含有層より狭い前記窒化シリコン層又は前記酸化シリコン層のパターンを形成するプラズマエッチング工程と
を具備した半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマエッチング工程では、SF6ガスを含むエッチングガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 104C
, G03F7/20 521
2H197JA15
, 5F004BA09
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB22
, 5F004BB23
, 5F004BB25
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CA04
, 5F004DA18
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DB01
, 5F004DB02
, 5F004DB30
