特許
J-GLOBAL ID：201703015333561250
半導体装置の製造方法及び半導体装置を測定する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
青木 篤
, 伊坪 公一
, 樋口 外治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-131792
公開番号（公開出願番号）：特開2015-005708
特許番号：特許第6119454号
出願日： 2013年06月24日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板上に形成された、第1チャネルと、前記第1チャネルの両側に配置される第1ソース/ドレインとを有する第1素子と、第2チャネルと、前記第2チャネルの両側に配置される第2ソース/ドレインとを有する第2素子とを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記第2素子は、前記第2チャネルの歪み量を測定し、測定された歪み量に基づいて、前記第1チャネルの歪み量を推定するために使用される素子であり、
前記第2素子が形成される第2素子形成領域上に第1マスクを形成して、前記第1マスクに覆われた前記第2素子形成領域及び前記第1チャネルが形成される第1チャネル形成領域に、第1極性を有する不純物を注入する第1工程と、
前記第1ソース/ドレインが形成される第1ソース/ドレイン形成領域及び前記第2ソース/ドレインが形成される第2ソース/ドレイン形成領域それぞれに、第2極性を有する不純物を注入して、前記第1ソース/ドレイン及び前記第2ソース/ドレインを形成する第2工程と、
前記第1ソース/ドレイン及び前記第2ソース/ドレインそれぞれの上に、シリサイド層を形成する第3工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
H01L 27/08 321 C
, H01L 29/50 M
, H01L 27/04 T
, H01L 21/66 Q
, H01L 21/28 301 S
