特許
J-GLOBAL ID：201003076909595587

半導体装置

発明者：
沖原 将生

沖原 将生 について


出願人/特許権者：
OKIセミコンダクタ株式会社

OKIセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (3件)： 藤村 元彦 ,  永岡 重幸 ,  高野 信司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-079127
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232470
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：
【課題】SOI構造の半導体デバイスにおいて、SOI層の端部に発生する応力の影響がチャネル領域に及ぶことにより、N型トランジスタとP型トランジスタとの間でトランジスタ特性に偏りが生じることを改善し、一定のトランジスタ特性を有するSOI構造の半導体装置を提供する。【解決手段】BOX層20の表面に形成された素子分離酸化膜により、互いに分離されているN型トランジスタNchおよびP型トランジスタPchにおいて。N型トランジスタNchのゲート電極40nの形成位置からP型半導体領域であるSOI層30nの端部までの距離が、P型トランジスタPchのゲート電極40pの形成位置からN型半導体領域であるSOI層30pの端部までの距離よりも大きい。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
支持基板上に形成された埋め込み酸化膜と、前記埋め込み酸化膜上に形成されたN型及びP型半導体領域と、前記N型半導体領域に形成されたP型トランジスタと、前記P型半導体領域に形成されたN型トランジスタと、を含む半導体装置であって、 前記N型トランジスタにおけるゲート電極から前記P型半導体領域の縁までの第1距離が、前記P型トランジスタにおけるゲート電極から前記N型半導体領域の縁までの第2距離よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/08
FI (5件)：
H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321E ,  H01L21/76 D ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 321F
Fターム (31件)：
5F032AA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F048AA08 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC01 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE24 ,  5F110EE31 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66
引用特許：
審査官引用 (8件)
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