酸化物膜、半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-203585
公開番号（公開出願番号）：特開2017-022415
出願日： 2016年10月17日
公開日（公表日）： 2017年01月26日
要約：

【課題】トランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、このような半導体装置を実現する酸化物材料を提供する。【解決手段】それぞれ、c軸配向し、ab面、上面または被形成面に垂直な方向から見て少なくとも三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸においては、金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、In2SnZn2O7(ZnO)m(mは0または自然数。)で表される、ab面(または上面または被形成面)においては、a軸またはb軸の向きが異なる二種以上の結晶部分を含む酸化物膜を用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

In2SnZn2O7(ZnO)m(mは0または自然数。)で表される酸化物膜であって、前記酸化物膜は、非単結晶であり、前記酸化物膜は、結晶を有し、前記結晶は、前記酸化物膜の表面に垂直な方向に沿うc軸を有することを特徴とする酸化物膜。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136

FI (3件)：

H01L29/78 620 , H01L29/78 618B , G02F1/1368

Fターム (79件)：

2H192AA24 , 2H192CB02 , 2H192CB37 , 2H192CB42 , 2H192CB54 , 2H192CB83 , 2H192DA42 , 2H192DA72 , 2H192EA76 , 2H192HA13 , 2H192HA82 , 2H192HA84 , 2H192HA88 , 2H192HA90 , 5F110AA02 , 5F110AA06 , 5F110AA13 , 5F110BB01 , 5F110BB06 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP36 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (6件)

薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-258272 出願人：キヤノン株式会社
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-020983 出願人：キヤノン株式会社
無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-320678 出願人：富士フイルム株式会社

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