特許
J-GLOBAL ID：201703015915984610
半導体装置、半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
恩田 誠
, 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-105603
公開番号（公開出願番号）：特開2017-212377
出願日： 2016年05月26日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：
【課題】複数の電子部品を備えシールドによって電磁波の影響を低減した半導体装置を小型化すること。【解決手段】半導体装置1は、半導体素子20a,20bを被覆する封止樹脂40の上面41と側面42とが素子シールド体50により被覆されている。半導体装置1の配線構造体60は、上記の配線層62,64,66と、絶縁層61,63,65を有している。配線層62,64,66は、半導体素子20a,20bに接続されている。更に、配線構造体60の絶縁層61,63,65は、枠状の配線シールド体70により被覆され、この配線シールド体70は、素子シールド体50と接続されている。配線シールド体70において露出する側面70aは、素子シールド体50の側面52aと同一平面上に位置しており、面一である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下面に電極端子が形成された電子部品と、
前記電子部品の下方にあって、絶縁層と前記電極端子に接続された配線層とを含む配線構造体と、
前記配線構造体の側面に設けられた配線シールド体と、
前記配線構造体の上面及び前記電子部品の側面を覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂の表面を覆うとともに、前記電子部品の上面側を連続的に覆う素子シールド体と、
を有し、
前記配線シールド体は前記素子シールド体と接続され、
前記配線シールド体の外側に露出する側面は前記素子シールド体の表面と同一平面上に位置していること、
を特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/28
, H01L 23/00
, H01L 23/12
, H01L 21/56
H01L23/28 F
, H01L23/00 C
, H01L23/12 N
, H01L21/56 R
4M109AA01
, 4M109BA04
, 4M109EA02
, 4M109EA07
, 4M109EA15
, 4M109EB13
, 4M109EE07
, 5F061AA01
, 5F061BA04
, 5F061CB03
, 5F061CB07
