特許
J-GLOBAL ID：201703016605152556
Mg2Si1-xSnx結晶の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
近藤 充和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-013738
公開番号（公開出願番号）：特開2017-132655
出願日： 2016年01月27日
公開日（公表日）： 2017年08月03日
要約：
【課題】坩堝の再利用が可能であり、気泡が無く結晶性の良好なMg2Si1-xSnx単結晶の育成を可能にするMg2Si1-xSnx結晶の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】Mg、SiおよびSnからなる原料の融点よりも高い高温度領域とその下部に設けた融点よりも低い低温度領域を有する結晶育成炉において、原料を高温度領域において溶融し、その溶融した融液原料を低温度領域に移動することにより結晶の育成を行うMg2Si1-xSnx結晶の製造方法であって、原料は、カーボン坩堝5内に設置されたカーボンシートよりなる育成容器10内に装填され、育成容器10は、前記原料が接触する内面を、前記原料を溶融した状態の融液原料に一定時間以上接触させることによりその内面に融液原料を浸み込ませせる処理を行った後、その内面に離型材を塗布して構成した。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
Mg、SiおよびSnからなる原料の融点よりも高い高温度領域と該高温度領域の下部に設けた前記原料の融点よりも低い低温度領域を有する結晶育成炉において、前記原料を前記高温度領域において溶融し、その溶融した融液原料を前記低温度領域に移動することにより結晶の育成を行うMg2Si1-xSnx結晶の製造方法であって、前記原料は、坩堝内に設置されたカーボンシートよりなる育成容器内に装填され、前記育成容器は、前記原料が接触する内面を、Mg、SiおよびSnからなる原料を溶融した状態の融液原料に一定時間以上接触させることによりその内面に該融液原料を浸み込ませせる処理を行った後、その内面に離型材を塗布して構成したことを特徴とするMg2Si1-xSnx結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/52
, C30B 11/00
, F27B 14/10
C30B29/52
, C30B11/00 C
, F27B14/10
4G077AA02
, 4G077BA10
, 4G077CD02
, 4G077EA01
, 4G077EA06
, 4G077EG02
, 4G077HA05
, 4G077MA02
, 4G077MA05
, 4G077MB04
, 4G077MB35
, 4K046AA02
, 4K046BA02
, 4K046CB13
, 4K046CB16
, 4K046CC03
, 4K046CD03
, 4K046CE09
, 4K046DA09
