特許
J-GLOBAL ID：201703017527445149
金属-絶縁体-金属スタックおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-274890
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131749
特許番号：特許第6101068号
出願日： 2012年12月17日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属-絶縁体-金属(MIM)スタック(10)を製造する方法であって、
・少なくとも1つの金属層(BE1)を含む下部電極(BE)を堆積し、
・第1誘電率値を有する誘電体材料からなる少なくとも1つの層を含む誘電体(D)を堆積し、
・少なくとも1つの金属層(TE1)を含む上部電極(TE)を堆積することによって、
一時的スタック(20’,30’,40’,50’)を形成するステップを含み、
下部電極(BE)及び/又は上部電極(TE)を堆積するステップは、誘電体(D)と直接に接触させて非導電性金属酸化物層層(BE2’,TE2’)を堆積するステップをさらに含み、
前記非導電性金属酸化物は、準安定で高酸化状態であり、
前記下部電極(BE)及び/又は上部電極(TE)の非導電性金属酸化物層(BE2’,TE2’)および前記誘電体(D)を堆積するステップの後、一時的スタック(20’,30’,40’,50’)に刺激を与えて、前記非導電性金属酸化物を、熱力学的に安定した導電特性を有する酸化物または金属に変換し、そして、前記誘電体材料を、第1誘電率値より大きい第2誘電率値を有する結晶形態に変換し、これにより最終の前記MIMスタック(10)を作成することを特徴とする方法。
IPC (9件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
, H01L 21/314 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01M 10/36 ( 201 0.01)
, H01G 4/33 ( 200 6.01)
, H01G 4/12 ( 200 6.01)
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 21/314 M
, H01L 21/316 P
, H01M 10/36 Z
, H01G 4/06 102
, H01G 4/12 394
, H01G 4/12 397
, H01G 4/12 400
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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