特許
J-GLOBAL ID：201703017718877634
複合基板およびそれを用いた半導体ウエハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-022222
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154668
特許番号：特許第6094243号
出願日： 2013年02月07日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 結晶相として35質量%以上65質量%以下のムライト相および35質量%以上65質量%以下のアルミナ相を含み、非結晶相として10質量%以下のシリカ相を含む支持基板と、前記支持基板の主面側に配置されている厚さ10μm以上の半導体膜と、を含む複合基板。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 25/18 ( 200 6.01)
H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, C30B 29/38 D
, C30B 25/18
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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