特許
J-GLOBAL ID：201703018809516398

光モジュールおよびその製造方法

発明者：
土澤 泰

土澤 泰 について

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岡崎 功太

岡崎 功太 について

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開 達郎

開 達郎 について

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西 英隆

西 英隆 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-079388
公開番号（公開出願番号）：特開2017-191158
出願日： 2016年04月12日
公開日（公表日）： 2017年10月19日
要約：
【課題】酸窒化シリコンからなるコアによる光導波路とゲルマニウムフォトダイオードとを同一基板上にモノリシックに集積できるようにする。【解決手段】下部クラッド層101の上の第1領域110に形成されたゲルマニウムフォトダイオード110aと、下部クラッド層101の上の第1領域110に連続する第2領域120に形成されたシリコンコア121と、第2領域120の一部から第2領域120に連続する第3領域130にかけて形成された酸窒化シリコンコア122とを備える。酸窒化シリコンコア122が、第1酸窒化シリコン層141および第2酸窒化シリコン層142から構成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲルマニウムフォトダイオード、シリコンコアからなるシリコン光導波路、酸窒化シリコンコアからなる酸窒化シリコン光導波路がこれらの順に接続した光モジュールの製造方法であって、 シリコン基板の上に酸化シリコンからなる下部クラッド層を形成する工程と、 前記下部クラッド層の上にシリコン層を形成する工程と、 前記シリコン層をパターニングして第1領域に下部シリコンパターンを形成するとともに、前記第1領域に連続する第2領域に前記シリコンコアを形成する工程と、 前記下部シリコンパターンおよび前記シリコンコアを覆って前記下部クラッド層の上に、酸窒化シリコンからなる第1酸窒化シリコン層を形成する工程と、 前記第1酸窒化シリコン層の上に酸化シリコンからなる酸化シリコン層を形成する工程と、 前記酸化シリコン層および前記第1酸窒化シリコン層の前記下部シリコンパターンの上部に開口部を形成する工程と、 前記酸化シリコン層を選択成長マスクとして前記開口部の底部の前記下部シリコンパターンの上にゲルマニウムを選択的に成長してゲルマニウムパターンを形成し、前記下部シリコンパターンおよび前記ゲルマニウムパターンよりなる前記ゲルマニウムフォトダイオードを形成する工程と、 前記酸化シリコン層を除去する工程と、 前記酸化シリコン層を除去した後、前記第1酸窒化シリコン層の上に酸窒化シリコンからなる第2酸窒化シリコン層を形成する工程と、 前記第1酸窒化シリコン層および前記第2酸窒化シリコン層をパターニングすることで前記第2領域の一部から前記第2領域に連続する第3領域にかけて前記酸窒化シリコンコアを形成する工程と、 前記ゲルマニウムフォトダイオード,前記シリコンコア,および前記酸窒化シリコンコアの上に酸化シリコンからなる上部クラッド層を形成する工程と を備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。
IPC (3件)：
G02B 6/12 ,  H01L 31/10 ,  G02B 6/132
FI (3件)：
G02B6/12 301 ,  H01L31/10 A ,  G02B6/132
Fターム (26件)：
2H147AB04 ,  2H147AB10 ,  2H147DA09 ,  2H147EA12D ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA23A ,  2H147FA03 ,  2H147FA05 ,  2H147FA09 ,  2H147FB13 ,  2H147FC01 ,  2H147GA10 ,  2H147GA19 ,  5F849AA01 ,  5F849AB02 ,  5F849BA30 ,  5F849BB01 ,  5F849CB05 ,  5F849DA06 ,  5F849GA05 ,  5F849LA01 ,  5F849XB05 ,  5F849XB15 ,  5F849XB51
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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