特許
J-GLOBAL ID：201703019473010411
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
戸田 裕二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-119396
公開番号（公開出願番号）：特開2014-239091
特許番号：特許第6180799号
出願日： 2013年06月06日
公開日（公表日）： 2014年12月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】真空容器と、前記真空容器内にプラズマを生成するための第一の高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記真空容器内に配置され試料が載置される試料台と、前記試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第二の高周波電力の反射を抑制するための整合を行う整合器とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第一の高周波電力と前記第二の高周波電力が時間変調される場合、前記時間変調された第二の高周波電力のオン時間のサンプリング有効期間に前記整合を行うための情報を前記整合器に取得させるとともに所定時間に前記整合を行うための情報を前記整合器に取得させない制御部をさらに備え、
前記サンプリング有効期間は、前記所定時間の経過後から前記時間変調された第二の高周波電力のオン終了時間までの期間であり、
前記時間変調された第二の高周波電力のオン時間は、前記所定時間と前記サンプリング有効期間の時間との和であり、
前記所定時間は、時間変調された第一の高周波電力により生成されたプラズマの密度に基づいて予め求められた固定値であるとともに前記時間変調された第二の高周波電力のオン開始時間から開始することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
, H05H 1/00 ( 200 6.01)
H01L 21/302 101 D
, H05H 1/46 C
, H05H 1/00 A
