特許
J-GLOBAL ID：200903096986975333
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-305146
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115860
出願日： 2005年10月20日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】プラズマ製造装置を用いた半導体装置の製造歩留まりを向上させる。【解決手段】まず、半導体ウエハ1W上に絶縁膜を形成する。次に、プラズマ製造装置31のプラズマインピーダンスVppおよび反射波Prの波形を検出する。次に、検出したプラズマインピーダンスVppおよび反射波Prの波形を、プラズマ立ち上がり時、プラズマ安定時、プラズマ立ち下がり時についてそれぞれ細分割した時間分割単位で設定された異常放電のしきい値とチェックしながら、プラズマエッチングによって、半導体ウエハ1W上の絶縁膜に開口部を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)第1クロック周波数で同期された種々の制御によって半導体ウエハにプラズマ処理を行うプラズマ製造装置の真空処理室内に前記半導体ウエハを配置する工程、
(b)前記真空処理室内にプラズマを生成する高周波電力の供給時から一定の時間区分ごとに、前記プラズマのインピーダンスまたは前記高周波電力の反射波の少なくとも一方を監視することによって、前記プラズマの異常放電を検知する工程、
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマ製造装置に備えられた異常放電検知機構は、前記第1クロック周波数より高い第2クロック周波数によって前記プラズマのインピーダンスまたは前記高周波電力の反射波の少なくとも一方のサンプリングを行ない、前記一定の時間区分ごとに別々に設定されたしきい値と比較して異常放電を検知することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306
, H01L 21/28
, H01L 21/321
, H01L 21/768
, H01L 21/205
H01L21/302 103
, H01L21/28 E
, H01L21/88 C
, H01L21/90 A
, H01L21/205
4M104BB01
, 4M104CC05
, 4M104DD07
, 4M104DD08
, 4M104FF13
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH11
, 5F004BA04
, 5F004CA03
, 5F004CB05
, 5F004CB07
, 5F033HH04
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033JJ19
, 5F033KK01
, 5F033KK08
, 5F033MM05
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ37
, 5F033VV06
, 5F033XX00
, 5F045AA08
, 5F045EH19
, 5F045GB08
, 5F045GB15
