絶縁基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人R&C
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-220520
公開番号（公開出願番号）：特開2017-120888
出願日： 2016年11月11日
公開日（公表日）： 2017年07月06日
要約：

【課題】半導体素子への通電に際して半導体素子と絶縁基板との間に生じる熱応力の影響を十分に低減できる絶縁基板を得る。【解決手段】半導体素子3と、半導体素子3を接合により実装する第1基板1と、第1基板1の両面のうち半導体素子3を実装した面とは反対側の面に設けた絶縁層2とを備えた絶縁基板Pに対し、第1基板1の平面に対する法線方向視において、第1基板1のうち半導体素子3の縁部3aの少なくとも一部と重複する位置において、第1基板1の内部に中空部5を備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子を接合により実装する第1基板と、当該第1基板の両面のうち前記半導体素子を実装した面とは反対側の面に設けた絶縁層とを備え、前記第1基板の平面に対する法線方向視において、前記第1基板のうち前記半導体素子の縁部の少なくとも一部と重複する位置において、前記第1基板の内部に中空部を備えている絶縁基板。

IPC (4件)：

H01L 23/12 , H01L 23/36 , H05K 1/02 , H05K 1/05

FI (4件)：

H01L23/12 J , H01L23/36 C , H05K1/02 C , H05K1/05 B

Fターム (15件)：

5E315AA03 , 5E315BB04 , 5E315BB10 , 5E315CC14 , 5E315GG01 , 5E338AA01 , 5E338AA05 , 5E338BB05 , 5E338BB19 , 5E338BB25 , 5E338CD23 , 5E338EE02 , 5F136BB05 , 5F136FA03 , 5F136FA12

引用特許：

審査官引用 (5件)

素子の冷却構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-203958 出願人：日産自動車株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-114207 出願人：日産自動車株式会社
セラミツクス回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-294568 出願人：株式会社東芝

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