特許
J-GLOBAL ID：201703019922963070
超電導薄膜作製用ターゲットの製造方法と酸化物超電導線材の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 棚井 澄雄
, 五十嵐 光永
, 小室 敏雄
, 清水 雄一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-019002
公開番号（公開出願番号）：特開2013-155425
特許番号：特許第6043487号
出願日： 2012年01月31日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 RE化合物、Ba化合物、Cu化合物を含む原料粉末を仮焼きして仮焼体を得る仮焼き工程と、前記仮焼体を粉砕して粉砕粉を得る粉砕工程と、篩を用いて前記粉砕粉を分粒する分粒工程と、前記粉砕粉を成型して成型体を得る成型工程と、前記成型体を焼成して焼結体を得る焼成工程と、によってREBa2Cu3Ox(REは希土類元素の内から選択される1種以上の元素)で表される希土類酸化物焼結体を含むターゲットを製造する超電導薄膜作製用ターゲットの製造方法であって、
前記仮焼き工程後の粉砕工程によって希土類酸化物の偏平の粉砕粉を得、目開き20μmの篩の上に残った粉末を取り出すことにより、粒径20μm未満の粉砕粉を除去して、粒径20μm〜500μmの粉砕粉を採取し、この粉砕粉を成型工程において一軸加圧して、偏平な複数の粉砕粉を表面に平行な方向に揃えた圧密体を得、この圧密体を焼結することにより密度63%以上、78%以下で、前記表面から見て結晶粒が格子を組んだ構造となった焼結体としてターゲットとすることを特徴とする超電導薄膜作製用ターゲットの製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/24 ( 200 6.01)
, C23C 14/28 ( 200 6.01)
, C23C 14/08 ( 200 6.01)
, C04B 35/00 ( 200 6.01)
, H01B 13/00 ( 200 6.01)
C23C 14/24 E
, C23C 14/28
, C23C 14/08 K
, C04B 35/00 J
, H01B 13/00 565 D
, H01B 13/00 ZAA
