半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-020422
公開番号（公開出願番号）：特開2015-149346
出願日： 2014年02月05日
公開日（公表日）： 2015年08月20日
要約：

【課題】高温度のもとでも欠陥準位が減少しない半導体装置の製造方法と、半導体装置とを提供する。【解決手段】シリコン基板1の表面にエピタキシャル成長膜第1層2が形成され、その表面上に、特定の金属元素の密度が高い、キャリアの再結合寿命を短縮させる領域となるエピタキシャル成長膜第2層3が積層される。金属元素は、エピタキシャル成長させる際に、所定の金属元素を含有する有機金属ガスを含む材料ガスがシリコン基板1の表面において熱分解することによって、エピタキシャル成長する膜の中に、その金属元素が取り込まれることになる。金属元素は、エピタシャル成長する膜中の熱によってシリコン原子と置換されて、エピタキシャル成長膜第2層3内には、その金属元素固有のキャリアの再結合準位が形成されることになる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板の表面上に、それぞれエピタキシャル成長によって複数のエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記複数のエピタキシャル層を形成する工程は、有機金属ガスを含む材料ガスによって金属元素を含有するエピタキシャル層を形成する工程を備え、前記金属元素として、前記半導体基板の温度を175°Cとした場合の拡散係数が2.8×10-21cm2/sよりも低い金属元素が適用される、半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (7件)：

H01L21/205 , C23C16/24 , H01L29/78 652T , H01L29/78 658H , H01L29/78 658F , H01L29/78 653A , H01L21/20

Fターム (32件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F045AA01 , 5F045AB02 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045DA52 , 5F045DA62 , 5F152LL02 , 5F152LL05 , 5F152MM02 , 5F152MM07 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN09 , 5F152NQ03

引用特許：

審査官引用 (9件)

特表平1-501989
改善された半導体材料及びその中に形成されたデバイスのスイッチング速度の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-227114 出願人：ジーアイコーポレーション
窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-192552 出願人：次世代パワーデバイス技術研究組合

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