特許
J-GLOBAL ID：201703020332627740
フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びパターン転写方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
特許業務法人 津国
, 津国 肇
, 小澤 圭子
, 柴田 明夫
, 杉本 将市
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-242843
公開番号（公開出願番号）：特開2015-102664
特許番号：特許第6106579号
出願日： 2013年11月25日
公開日（公表日）： 2015年06月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透明基板上にCrを含有する光学膜がパターニングされてなる光学膜パターンを含む転写用パターンをもつフォトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に前記光学膜を有する、フォトマスク中間体を用意する工程と、
前記光学膜に対して、真空紫外線を照射することによって、前記光学膜の膜質を改質する改質工程と、
前記改質後の光学膜上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、
前記フォトレジスト膜に対して、描画及び現像を行い、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて、前記光学膜をウェットエッチングすることにより、前記光学膜パターンを形成するエッチング工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と
を有し、
前記光学膜は、前記フォトマスクを露光する露光光の代表波長の位相を略180度シフトさせる位相シフト膜であり、
前記光学膜の改質工程においては、20〜60J/cm2の照射エネルギーで前記真空紫外線の照射を行うことによって、前記光学膜の内部に対して、前記光学膜のウェットエッチング特性を変化させる改質を行い、前記照射を行わない場合と比較して、前記光学膜パターン形成により形成される前記光学膜の被エッチング断面を、前記透明基板表面に対して垂直に近づけることを特徴とする、
フォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
G03F 1/82 ( 201 2.01)
, G03F 1/26 ( 201 2.01)
