特許
J-GLOBAL ID：201003020927185099

ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法

発明者：
松本 靖夫

松本 靖夫 について

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鴫原 亜貴子

鴫原 亜貴子 について

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大槻 雅司

大槻 雅司 について

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石井 裕之

石井 裕之 について

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神田 信之

神田 信之 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-203431
公開番号（公開出願番号）：特開2010-039300
出願日： 2008年08月06日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】本発明は、位相シフト膜改質時およびマスク洗浄時に生じる位相シフト膜の光学特性変動を抑制することができ、かつ、位相シフト膜改質時に生じる、クロム系材料からなるパターン状の遮光膜の寸法変動および膜減りを抑制することができるハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成され、パターン部を有する位相シフト膜とを備えたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法であって、上記パターン部を形成する処理を少なくとも行い、位相シフト膜改質前のハーフトーン型位相シフトマスクを準備するマスク準備工程と、上記位相シフト膜改質前のハーフトーン型位相シフトマスクを窒素雰囲気の処理室内に格納し、上記位相シフト膜に、放射エネルギー照射処理および加熱処理を行う位相シフト膜改質工程と、を有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板上に形成され、パターン部を有する位相シフト膜とを備えたハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法であって、 前記パターン部を形成する処理を少なくとも行い、位相シフト膜改質前のハーフトーン型位相シフトマスクを準備するマスク準備工程と、 前記位相シフト膜改質前のハーフトーン型位相シフトマスクを窒素雰囲気の処理室内に格納し、前記位相シフト膜に、放射エネルギー照射処理および加熱処理を行う位相シフト膜改質工程と、 を有することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
IPC (1件)：
G03F 1/08
FI (2件)：
G03F1/08 G ,  G03F1/08 A
Fターム (6件)：
2H095BB03 ,  2H095BB27 ,  2H095BB28 ,  2H095BB31 ,  2H095BB38 ,  2H095BC04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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