特許
J-GLOBAL ID：201703020351846720
炭化珪素半導体成膜装置およびそれを用いた成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-130836
公開番号（公開出願番号）：特開2015-005658
特許番号：特許第6065762号
出願日： 2013年06月21日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 成長空間を構成する炉体(20)と、
前記炉体内に備えられ、炭化珪素半導体基板(70)が設置される設置面を構成するサセプタ部(60)と、
Si原料含有ガスもしくはC原料含有ガスのいずれか一方を第1ガス、他方を第2ガスとして、前記炉体内に、第1ガスを導入する第1導入口(31)、第2ガスを導入する第2導入口(32)、SiおよびCを含まない第3ガスを導入する第3導入口(33)を備えたガス導入口(30)と、
前記炉体内の上部において複数配置された仕切壁(41a〜43a)によって上下に複数に分離されて構成され、前記第1導入口を通じて前記第1ガスが導入される第1分離部屋(41)と、前記第2導入口を通じて前記第2ガスが導入される第2分離部屋(42)と、前記第3導入口を通じて前記第3ガスが導入される第3分離部屋(43)とを有し、前記第1分離部屋、前記第2分離部屋および前記第3分離部屋が上から順番に並べられて配置された複数の分離部屋(40)とを備え、
前記第1分離部屋を構成する仕切壁(41a)には、前記第1分離部屋から前記複数の分離部屋よりも下方に伸ばされた前記第1ガスの供給路となる複数の第1供給路(41b)が備えられ、
前記第2分離部屋を構成する仕切壁(42a)には、前記第2分離部屋から前記複数の分離部屋よりも下方に伸ばされた前記第2ガスの供給路となる複数の第2供給路(42b)が備えられ、
前記第3分離部屋を構成する仕切壁(43a)には、前記第1供給路および前記第2供給路の間から前記第3ガスを供給する複数の第3供給路(43b)が備えられ、
前記第1〜第3供給路を通じて前記第1〜第3ガスを前記炭化珪素半導体基板に供給することで、該炭化珪素半導体基板の表面に炭化珪素半導体をエピタキシャル成長させるものであり、
単位面積あたりの前記複数の第1供給路の開口面積である第1供給路の開口面積密度および単位面積あたりの前記複数の第2供給路の開口面積である第2供給路の開口面積密度が、前記炉体の径方向の中央部と外周部とで異なっており、
前記ガス導入口は、SiおよびCを含まない第4ガスを導入する第4導入口(34)を有し、
前記複数の分離部屋は、前記炉体内の上部に配置された仕切壁(44a)によって、前記第2分離部屋と前記第3分離部屋との間に構成される第4分離部屋(44)を有し、
前記第4分離部屋を構成する仕切壁には、前記第4分離部屋から前記複数の分離部屋よりも下方に伸ばされた前記第4ガスの供給路となる複数の第4供給路(44b)が備えられていることを特徴とする炭化珪素半導体成膜装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, C23C 16/455
