特許
J-GLOBAL ID：201703020368851654

三次元多孔高分子金属錯体、これを用いたガス吸着材、ガス分離装置、ガス貯蔵装置、触媒、導電性材料、センサー

発明者：
上代 洋

上代 洋 について

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徳丸 慎司

徳丸 慎司 について

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北川 進

北川 進 について

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松田 亮太郎

松田 亮太郎 について


出願人/特許権者：
新日鐵住金株式会社

新日鐵住金株式会社 について

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国立大学法人京都大学

国立大学法人京都大学 について


代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  福地 律生 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-034357
公開番号（公開出願番号）：特開2017-149683
出願日： 2016年02月25日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：
【課題】多孔性高分子金属錯体、並びにこれを用いた優れた特性を有するガス吸着材、ガス貯蔵装置およびガス分離装置を提供することを目的とする。【解決手段】[AX]n(式中、Aは2価の遷移金属イオンを表し、Xは5位にふっ素以外の含ハロゲン官能基を有するイソフタル酸イオンを少なくとも1種含む複数種のイソフタル酸イオンを表し、nは、AXから成る構成単位の数を表す)の構造単位を有する多孔性高分子金属錯体であって、前記遷移金属イオン2個が、3個のイソフタル酸誘導体により架橋されている2核クラスタ構造を有しており、前記2個の遷移金属イオンのそれぞれが、イソフタル酸イオンの酸素が4個配位した4配位構造を有している、三次元ネットワーク構造を有する多孔性高分子金属錯体。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
[AX]n (i) (式中、Aは2価の遷移金属イオンを表し、Xは5位にふっ素以外の含ハロゲン官能基を有するイソフタル酸イオンを少なくとも1種含む複数種のイソフタル酸イオンを表し、nは、AXから成る構成単位の数を表す) の構造単位を有する多孔性高分子金属錯体であって、 前記遷移金属イオン2個が、3個のイソフタル酸誘導体により架橋されている2核クラスタ構造を有しており、前記2個の遷移金属イオンのそれぞれが、イソフタル酸イオンの酸素が4個配位した4配位構造を有している、三次元ネットワーク構造を有する多孔性高分子金属錯体。
IPC (5件)：
C07C 63/24 ,  C08G 79/00 ,  B01J 20/26 ,  B01D 53/02 ,  B01J 31/22
FI (5件)：
C07C63/24 ,  C08G79/00 ,  B01J20/26 A ,  B01D53/02 ,  B01J31/22 M
Fターム (47件)：
4D012BA01 ,  4D012CA20 ,  4D012CG01 ,  4D012CG02 ,  4G066AB05A ,  4G066AB07A ,  4G066AB21A ,  4G066AB24B ,  4G066AC11B ,  4G066BA31 ,  4G066CA35 ,  4G066CA37 ,  4G066DA01 ,  4G169AA02 ,  4G169BA22A ,  4G169BA22B ,  4G169BA27A ,  4G169BA27B ,  4G169BA32A ,  4G169BC29A ,  4G169BC31B ,  4G169BC35A ,  4G169BC35B ,  4G169BC67B ,  4G169BE01A ,  4G169BE01B ,  4G169BE06A ,  4G169BE06B ,  4G169BE08A ,  4G169BE08B ,  4G169BE33A ,  4G169BE33B ,  4G169BE37A ,  4G169BE37B ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB90 ,  4J030CA02 ,  4J030CA03 ,  4J030CB04 ,  4J030CC02 ,  4J030CC04 ,  4J030CC30 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CG10 ,  4J030CG29
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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