特許
J-GLOBAL ID：201703021167032660
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人あい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-199260
公開番号（公開出願番号）：特開2017-017346
出願日： 2016年10月07日
公開日（公表日）： 2017年01月19日
要約：
【課題】パターン用トレンチの周囲に結晶欠陥が生じても、その結晶欠陥が広範囲に広がるのを防止することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体素子が形成された素子形成領域3を有する半導体層2と、素子形成領域3の外側の領域に形成され、半導体層2の表面から掘り下がったアライメントパターン用トレンチ14を有するアライメントパターン7Aと、素子形成領域3の外側の領域においてアライメントパターン7Aを取り囲むように環状に形成され、半導体層2の表面から掘り下がった環状パターン用トレンチ16を有する環状パターン8とを含む。環状パターン8に含まれる曲部8Bの曲率半径c2は、11μm以上である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された素子形成領域を有する半導体層と、
前記素子形成領域の外側の領域に形成され、前記半導体層の表面から掘り下がったパターン用トレンチを有するパターンと、
前記素子形成領域の外側の領域において前記パターンを取り囲むように環状に形成され、前記半導体層の表面から掘り下がった環状パターン用トレンチを有する環状パターンとを含み、
前記環状パターンに含まれる曲部の曲率半径は、11μm以上である、半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
2H197EB04
, 2H197EB06
, 2H197EB09
, 2H197EB10
, 2H197EB25
, 5F032AA35
, 5F032AA45
, 5F032AA78
, 5F032BA01
, 5F032BA02
, 5F032DA22
, 5F032DA34
, 5F032DA53
