特許
J-GLOBAL ID：200903086448192870

電子デバイス、半導体装置、裏面照射型固体撮像装置、液晶表示装置並びに各製造方法

発明者：
羽根 博樹

羽根 博樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-267395
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086226
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 本発明は、アライメントマークであるトレンチによる応力集中を緩和する素子形成基板、半導体装置、裏面照射型固体撮像装置、液晶表示装置並びに各製造方法を提供するものである。【解決手段】 本発明の電子デバイスは、素子形成基板にトレンチと該トレンチの近傍にダミートレンチを有し、少なくとも上記トレンチに前記素子形成基板と識別可能材料が埋め込まれてなるアライメントマークを有することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
素子形成基板にトレンチと該トレンチの近傍にダミートレンチを有し、 少なくとも上記トレンチに前記素子形成基板と識別可能材料が埋め込まれてなるアライメントマークを有する ことを特徴とする電子デバイス。
IPC (5件)：
H01L 21/027 ,  G02F 1/13 ,  H01L 27/14 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
H01L21/30 502M ,  G02F1/13 101 ,  H01L27/14 D ,  H01L29/78 612D
Fターム (31件)：
2H088FA16 ,  2H088FA19 ,  2H088HA01 ,  2H088MA20 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118CA11 ,  4M118CA34 ,  4M118EA01 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5F046AA20 ,  5F046EA22 ,  5F046EB01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ16
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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