特許
J-GLOBAL ID：200903043285957113

半導体装置

発明者：
竹田 裕史

竹田 裕史 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  皆川 祐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-332682
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158588
出願日： 2007年12月25日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】パターン用トレンチの周囲に結晶欠陥が生じても、その結晶欠陥が広範囲に広がるのを防止することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層2の表面には、アライメントパターン7Aが形成されている。アライメントパターン7Aは、幅がb(b>a、たとえば、6μm)の直線部13を複数含んでいる。アライメントパターン用トレンチ14は、アライメントパターン7Aの直線部13の端部において、角部23を有している。半導体層2の表層部には、各アライメントパターン7A,7Bを取り囲む第1環状パターン8が形成されている。第1環状パターン8の幅は、分離部4の幅と同じ大きさaに設定されている。第1環状パターン8の屈曲部8Bは、円弧状に形成されており、その外周縁における曲率半径c2が11μm以上に設定されている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体層と、 前記半導体層の表面から掘り下がった素子分離用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、一定幅を有し、半導体素子が形成される素子形成領域を取り囲む環状をなし、当該素子形成領域をその周囲から絶縁分離するための分離部と、 前記半導体層の表面から前記素子分離用トレンチと同じ深さに掘り下がったパターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と異なる幅を有するパターンと、 前記半導体層の表面から前記素子分離用トレンチと同じ深さに掘り下がった環状パターン用トレンチに誘電体を埋設することにより形成され、前記分離部と同じ幅を有し、前記パターンを取り囲む環状をなす環状パターンとを含み、 前記環状パターンに含まれる曲部の曲率半径は、11μm以上である、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
H01L21/76 L ,  H01L21/30 522Z
Fターム (13件)：
5F032AA34 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA78 ,  5F032BA01 ,  5F032DA01 ,  5F032DA22 ,  5F032DA34 ,  5F032DA53 ,  5F046EA12 ,  5F046EB01 ,  5F046EB07
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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