研究者
J-GLOBAL ID:201801004093818990
更新日: 2025年01月27日 蔭浦 泰資
カゲウラ タイスケ | kageura taisuke
所属機関・部署: 職名:
研究員
研究分野 (2件):
結晶工学
, 薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (8件): - 2022 - 2026 室温で動作する電子スピンの多量子ビットの実現
- 2021 - 2024 h-BNヘテロ構造を利用したダイヤモンドスピン量子ビットの特性向上と独立制御
- 2019 - 2021 2DHGダイヤモンドNano-Fin構造における量子伝導機構の解明とFET応用
- 2017 - 2020 電子スピンの量子状態変化を検出原理に持つカロリーメータの開発
- 2018 - 2019 ダイヤモンド表面キャリアによる電子スピン制御とその生体分子核スピン観測への応用
- 2017 - 2019 物理接触・発熱・酸化耐性のある堅牢なホウ素添加ダイヤモンド超伝導量子干渉計の開発
- 2017 - 2018 液体ヘリウム温度以上の動作温度を有する堅牢なホウ素添加ダイヤモンド超伝導量子干渉素子(SQUID)の開発
- 超伝導ボロンドープダイヤモンドによる半導体と超伝導体の性質を融合した超伝導デバイスの開発
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論文 (24件): -
Taisuke Kageura, Yosuke Sasama, Keisuke Yamada, Kosuke Kimura, Shinobu Onoda, Yamaguchi Takahide. Surface transfer doping of hydrogen-terminated diamond probed by shallow nitrogen-vacancy centers. Carbon. 2024. 229
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Taisuke Kageura, Yosuke Sasama, Tokuyuki Teraji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Keisuke Yamada, Kosuke Kimura, Shinobu Onoda, Yamaguchi Takahide. Spin-State Control of Shallow Single NV Centers in Hydrogen-Terminated Diamond. ACS Applied Materials and Interfaces. 2024. 16. 10. 13212-13218
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shozo kono, Kohei Shima, Shigefusa Chichibu, Masaru Shimomura, Taisuke Kageura, Hiroshi Kawarada. Band Alignment and Quality of Al0.6ga0.4n/Aln Films Grown on Diamond (111) Substrate by Remote N-Plasma Assisted Mbe. SSRN Electronic Journal. 2023
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Kageura Taisuke, Sasama Yosuke, Shinei Chikara, Teraji Tokuyuki, Yamada Keisuke, Onoda Shinobu, Yamaguchi Takahide. Charge stability of shallow single nitrogen-vacancy centers in lightly boron-doped diamond. CARBON. 2022. 192. 473-481
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Yosuke Sasama, Taisuke Kageura, Masataka Imura, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide. High-mobility p-channel wide-bandgap transistors based on hydrogen-terminated diamond/hexagonal boron nitride heterostructures. NATURE ELECTRONICS. 2022. 5. 1. 37-44
もっと見る MISC (62件): -
蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 笹間陽介, 寺地徳之, 渡邊賢司, 谷口尚, 山田圭介, 小野田忍, 山口尚秀. h-BN被覆による水素終端下・単一ダイヤモンドNV中心のスピン操作. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
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上田真由, 早坂京祐, 金久京太郎, 高橋泰裕, 若林千幸, 蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 川原田洋, 川原田洋. 超高濃度窒素ドープCVDダイヤモンドの作製と物性評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
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若林千幸, 高橋泰裕, 太田康介, 新倉直弥, 荒井雅一, 蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 高野義彦, 立木実, 大井修一, et al. 超伝導ソースドレインを有する2DHGダイヤモンドMOSFETの低温動作. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
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笹間陽介, 蔭浦泰資, 井村将隆, 渡邊賢司, 谷口尚, 内橋隆, 山口尚秀, 山口尚秀. h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドFET. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
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蔭浦泰資, 蔭浦泰資, 笹間陽介, 真栄力, 寺地徳之, 山田圭介, 小野田忍, 山口尚秀. 低濃度ホウ素ドープダイヤモンド中における単一NV中心の電荷安定性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
もっと見る 特許 (1件): 講演・口頭発表等 (7件): -
RF窒素プラズマ支援MBE成長によるダイヤモンド(111)基板上のAlN薄膜の質とバンドオフセット
(応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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水素終端ダイヤモンド表面上のSiO<sub>2</sub>薄膜が二次元正孔ガスに及ぼす影響
(応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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(111)ボロンドープダイヤモンドの薄層での超伝導転移温度の向上
(応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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窒素終端ダイヤモンド中の浅いNVセンターを用いたNMR測定
(応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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高耐圧及び微細化に向けて構造改善を行った縦型2DHGダイヤモンドMOSFET
(応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
もっと見る 学歴 (3件): - 2016 - 2019 早稲田大学大学院 先進理工学研究科 ナノ理工学専攻 (博士)
- 2014 - 2016 早稲田大学大学院 先進理工学研究科 ナノ理工学専攻 (修士)
- 2010 - 2014 早稲田大学 基幹理工学部 電子光システム学科
学位 (1件): 経歴 (4件): - 2022/04 - 現在 国立研究開発法人産業技術総合研究所 エレクトロニクス・製造領域 センシングシステム研究センター センシングマテリアル研究チーム 研究員
- 2021/04 - 2022/03 独立行政法人日本学術振興会 特別研究員PD (受入:物質・材料研究機構)
- 2019/04 - 2021/03 国立研究開発法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 ポスドク研究員
- 2017/04 - 2019/03 早稲田大学 基幹理工学部 電子物理システム学科 助手
委員歴 (1件): - 2019/02 - 2021/03 応用物理学会 代議員
受賞 (3件): - 2019/02 - The First International Forum on Quantum Sensing (IFQS2019) Best Poster Award Diamond Josephson Junctions and SQUID for Superconducting Q-bit
- 2017/09 - ICMaSS2017 (International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017) /iLIM-2 Outstanding Presentation Award Single Crystalline Boron-doped Diamond Superconducting Quantum Interference Devices
- 2016/11 - 第3回ZAIKENフェスタ(早稲田大学) 最優秀賞 超伝導ボロンドープダイヤモンド中の歪み層と緩和層
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