今西正幸

イマニシマサユキ | Imanishi Masayuki

所属機関・部署：
職名：助教

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (3件)：ポイントシード , Naフラックス法 , GaN

競争的資金等の研究課題 (5件)：

論文 (64件)：

Akira Uedono, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masayuki Imanishi, Shoji Ishibashi, Yusuke Mori. Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation. Journal of Crystal Growth. 2021. 570. 126219-11-126219-6
T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, Y. Mori, N. Ikarashi, A. Sakai. Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates. Journal of Applied Physics. 2021. 129. 22. 225701-1-225701-19
Takahiro Kawamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa. Activation free energies for formation and dissociation of N-N, C-C, and C-H bonds in a Na-Ga melt. Computational Materials Science. 2021. 194. 110366-110366
Mayuko Tsukakoshi, Tomoyuki Tanikawa, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama. Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping. Applied Physics Express. 2021. 14. 5. 055504-1-055504-4
Yuka Tsuri, Nana Inaoka, Mihoko Maruyama, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori. Effects of entrapped gas on the surface of a plastic ball induced by ultrasonic irradiation on the enhancement of crystallization of acetaminophen form II. Journal of Crystal Growth. 2020. 557. 125994-1-125994-7

MISC (10件)：

今西正幸. Naフラックスポイントシード法で作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅. アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート. 2020. 7. 20-21
今西正幸. Naフラックス法によるGaN結晶の大口径化とその光学特性評価. 大阪大学低温センターだより. 2020. 170. 2-7
今西正幸. 結晶成長国際会議(ICCGE-19/OMVPE-19)報告. Crystal Letters. 2019. 72. 41-41
今西正幸. Naフラックスポイントシード法による高品質GaN結晶の大口径化. アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート. 2019. 6. 20-21
今西正幸. あとがき(クリスタルレターズ 1 月号). Crystal Letters. 2019. 70. 63-63

特許 (19件)：

講演・口頭発表等 (145件)：

Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method
(The 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD21) 2021)
ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析
(第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析
(第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
OVPE-GaN(高濃度酸素添加GaN)結晶黒色化の起源
(第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
Laser pulse duration effects on laser-induced crystallization of urea
(The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8) 2021)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (5件)：

受賞 (8件)：

2020/09 - 公益社団法人応用物理学会応用物理学会論文賞
2020/07 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会研究奨励賞 Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長
2020/03 - 公益社団法人応用物理学会第80回応用物理学会秋季学術講演会奨励賞結晶工学:Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅
2018/04 - 公益財団法人船井情報科学振興財団船井研究奨励賞低欠陥・大口径・厚膜GaN結晶を実現するハイブリット成長法の開発
2016/03 - 大阪大学菅田-Cohen賞(博士)

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所属学会 (3件)：

日本結晶成長学会 , 応用物理学会結晶工学分科会 , 応用物理学会

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今西 正幸