研究者
J-GLOBAL ID:201801007999056043   更新日: 2025年07月17日

今西 正幸

イマニシ マサユキ | Imanishi Masayuki
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (7件): 酸化ガリウム ,  パワーデバイス ,  ワイドギャップ半導体 ,  結晶成長 ,  ポイントシード ,  Naフラックス法 ,  GaN
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 2024 - 2029 グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善
  • 2023 - 2026 OVPE法による口径拡大・超厚膜GaNインゴット作製技術
  • 2021 - 2023 毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術
  • 2020 - 2023 酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発
  • 2018 - 2020 Naフラックス法を用いた無欠陥GaN結晶大口径化技術の研究開発
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論文 (105件):
  • Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori. Suppression of Inclusions in GaN Crystals Caused by Giant Steps During Na-Flux Growth through the Flux-Film-Coated Technique. Crystal Growth & Design. 2025
  • Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, et al. High-speed and long-time growth of GaN by suppressing gas-phase reaction in the oxide vapor phase epitaxy method. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 5. 055504-1-055504-5
  • Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori. Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation behavior in the Na-flux point seed technique. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 5. 055502-1-055502-10
  • Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura. Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect. Journal of Crystal Growth. 2025. 649. 127948-1-127948-6
  • S. Usami, R. Higashiyama, M. Imanishi, J. Takino, T. Sumi, Y. Okayama, M. Yoshimura, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori. Effects of adding methane on the growth and electrical properties of GaN in oxide vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 2024. 136. 8
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MISC (30件):
  • 西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介. 点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響. 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM). 2023. 52nd
  • 道端詩, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 塚本勝男, et al. ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察. 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM). 2023. 52nd
  • 鷲田将吾, TANDRYO Ricksen, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介. Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • Yamauchi Hyoga, Tandryo Ricksen, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi, et al. Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||. Japanese Journal of Applied Physics (Web). 2022. 61. 5
  • 滝野 淳一, 隅 智亮, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 岡山 芳央, 森 勇介. 超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用. 日本結晶成長学会誌. 2021. 48. 3. 3-02
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特許 (86件):
書籍 (1件):
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    エヌ・ティー・エス 2022 ISBN:4860437675
講演・口頭発表等 (273件):
  • Preparation of Highly Smooth Surfaces on OVPE-GaN Substrates via Photoelectrochemical Reaction-Assisted Polishing
    (The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)
  • Microscopic Raman study of GaN p-n junction diodes grown on OVPE GaN substrates
    (The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)
  • Investigation of electrochemical etching properties of heavily oxygen doped n-type GaN,
    (The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)
  • Suppression of Polycrystals During GaN Crystal Growth in Na-flux Method under the Higher Temperature and the Higher Nitrogen Pressure Conditions
    (The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)
  • Effect of temperature on high-speed growth of GaN using oxide vapor phase epitaxy
    (The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)
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学歴 (3件):
  • 2013 - 2016 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
  • 2012 - 2013 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
  • - 2012 大阪大学 工学部 電子情報工学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (5件):
  • 2020/10 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 准教授
  • 2018/04 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター 助教
  • 2018 - 2020/09 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 助教
  • 2016/09 - 2018/03 大阪大学 大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター 助教
  • 2016/04 - 2016/08 大阪大学 大学院工学研究科 特任研究員(常勤)
受賞 (12件):
  • 2024/10 - 第43回電子材料シンポジウム EMS賞
  • 2024/05 - 一般社団法人 日本赤外線学会 第10回日本赤外線学会論文賞
  • 2022/12 - 日本結晶成長学会 日本結晶成長学会 講演奨励賞 OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長
  • 2022/06 - フジサンケイ ビジネスアイ 第35回 独創性を拓く 先端技術大賞 社会人部門 特別賞 Naフラックス法とOVPE法を組み合わせた高品質・大型GaN結晶成長技術 ~脱炭素社会化に貢献するGaNデバイスの普及を目指して~
  • 2020/09 - 公益社団法人 応用物理学会 応用物理学会論文賞
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所属学会 (3件):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会結晶工学分科会 ,  応用物理学会
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