今西正幸

イマニシマサユキ | Imanishi Masayuki

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (7件)：酸化ガリウム , パワーデバイス , ワイドギャップ半導体 , 結晶成長 , ポイントシード , Naフラックス法 , GaN

競争的資金等の研究課題 (7件)：

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論文 (105件)：

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kosuke Murakami, Kosuke Nakamura, Keisuke Kakinouchi, Kenichi Kawabata, Shigeyoshi Usami, Yusuke Mori. Suppression of Inclusions in GaN Crystals Caused by Giant Steps During Na-Flux Growth through the Flux-Film-Coated Technique. Crystal Growth & Design. 2025
Shigeyoshi Usami, Ayumu Shimizu, Ritsuko Higashiyama, Masayuki Imanishi, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Masahiko Hata, et al. High-speed and long-time growth of GaN by suppressing gas-phase reaction in the oxide vapor phase epitaxy method. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 5. 055504-1-055504-5
Ryotaro Sasaki, Masayuki Imanishi, Shogo Washida, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori. Effects of morphology during coalescence of GaN crystals on dislocation behavior in the Na-flux point seed technique. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 5. 055502-1-055502-10
Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura. Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect. Journal of Crystal Growth. 2025. 649. 127948-1-127948-6
S. Usami, R. Higashiyama, M. Imanishi, J. Takino, T. Sumi, Y. Okayama, M. Yoshimura, M. Hata, M. Isemura, Y. Mori. Effects of adding methane on the growth and electrical properties of GaN in oxide vapor phase epitaxy. Journal of Applied Physics. 2024. 136. 8

MISC (30件)：

西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介. 点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響. 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM). 2023. 52nd
道端詩, 丸山美帆子, 丸山美帆子, 田中勇太朗, 田中勇太朗, 吉村政志, 西村良浩, 植村真結, 塚本勝男, 塚本勝男, et al. ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察. 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM). 2023. 52nd
鷲田将吾, TANDRYO Ricksen, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介. Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
Yamauchi Hyoga, Tandryo Ricksen, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi, et al. Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||. Japanese Journal of Applied Physics (Web). 2022. 61. 5
滝野淳一, 隅智亮, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 岡山芳央, 森勇介. 超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用. 日本結晶成長学会誌. 2021. 48. 3. 3-02

特許 (86件)：

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (273件)：

Preparation of Highly Smooth Surfaces on OVPE-GaN Substrates via Photoelectrochemical Reaction-Assisted Polishing
(The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)
Microscopic Raman study of GaN p-n junction diodes grown on OVPE GaN substrates
(The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)
Investigation of electrochemical etching properties of heavily oxygen doped n-type GaN,
(The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)
Suppression of Polycrystals During GaN Crystal Growth in Na-flux Method under the Higher Temperature and the Higher Nitrogen Pressure Conditions
(The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)
Effect of temperature on high-speed growth of GaN using oxide vapor phase epitaxy
(The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS15) 2025)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (5件)：

受賞 (12件)：

2024/10 - 第43回電子材料シンポジウム EMS賞
2024/05 - 一般社団法人日本赤外線学会第10回日本赤外線学会論文賞
2022/12 - 日本結晶成長学会日本結晶成長学会講演奨励賞 OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長
2022/06 - フジサンケイビジネスアイ第35回独創性を拓く先端技術大賞社会人部門特別賞 Naフラックス法とOVPE法を組み合わせた高品質・大型GaN結晶成長技術 ~脱炭素社会化に貢献するGaNデバイスの普及を目指して~
2020/09 - 公益社団法人応用物理学会応用物理学会論文賞

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所属学会 (3件)：

日本結晶成長学会 , 応用物理学会結晶工学分科会 , 応用物理学会

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今西 正幸