研究者
J-GLOBAL ID:201801007999056043   更新日: 2024年04月11日

今西 正幸

イマニシ マサユキ | Imanishi Masayuki
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (7件): 酸化ガリウム ,  パワーデバイス ,  ワイドギャップ半導体 ,  結晶成長 ,  ポイントシード ,  Naフラックス法 ,  GaN
競争的資金等の研究課題 (5件):
  • 2021 - 2023 毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術
  • 2020 - 2023 酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発
  • 2018 - 2020 Naフラックス法を用いた無欠陥GaN結晶大口径化技術の研究開発
  • 2017 - マイクロチャネルエピタキシーを用いた高品質・大口径GaN基板の作製
  • 2014 - 2016 Naフラックス法を用いた低反り・低欠陥窒化ガリウムウエハ作製技術の研究開発
論文 (94件):
  • Uta Michibata, Mihoko Maruyama, Yutaro Tanaka, Masashi Yoshimura, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Yoshihiro Furukawa, Koichi Momma, Rie Tajiri, Kazumi Taguchi, et al. The impact of crystal phase transition on the hardness and structure of kidney stones. Urolithiasis. 2024. 52. 1
  • Tomoaki Sumi, Junichi Takino, Yoshio Okayama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori. Origin of Black Color in Heavily Doped n-Type GaN Crystal. physica status solidi (b). 2024. 2400027-1-2400027-7
  • Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori. Suppression of polycrystal nucleation by methane addition at moderate timing to maintain GaN crystal growth on point seeds in the Na-flux method. Journal of Crystal Growth. 2024. 627. 127522-1-127522-6
  • Kazuma Hamada, Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Shigeyoshi Usami, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori. Preparation of a freestanding GaN substrate in the Na-flux method by laser-assisted separation. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 12. 125503-1-125503-6
  • Hiroki Fukuda, Akira NAGAKUBO, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Hirotsugu OGI. Elastic constants of GaN grown by oxide-vapor-phase-epitaxy method. Applied Physics Express. 2023
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MISC (43件):
  • 河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕. OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響. 日本結晶成長学会誌(CD-ROM). 2023. 50. 1
  • TANDRYO Ricksen, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介. Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小GaN種結晶上の核発生成進. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 鷲田将吾, TANDRYO Ricksen, 中島達彦, 村上航介, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介. Naフラックスポイントシード法におけるGaN結晶品質の種結晶オフ角依存性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • Yamauchi Hyoga, Tandryo Ricksen, Yamada Takumi, Murakami Kosuke, Usami Shigeyoshi, Imanishi Masayuki, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Maruyama Mihoko, Yoshimura Masashi, et al. Naフラックス法における成長速度制御によるGaN結晶の再成長界面における新たに発生した貫通転位の抑制【JST・京大機械翻訳】|||. Japanese Journal of Applied Physics (Web). 2022. 61. 5
  • 滝野 淳一, 隅 智亮, 宇佐美 茂佳, 今西 正幸, 岡山 芳央, 森 勇介. 超低抵抗・低転位密度GaN 基板の開発とデバイス応用. 日本結晶成長学会誌. 2021. 48. 3. 3-02
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特許 (27件):
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書籍 (1件):
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    エヌ・ティー・エス 2022 ISBN:4860437675
講演・口頭発表等 (227件):
  • CsLiB<sub>6</sub>O<sub>10</sub>結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響
    (レーザー学会学術講演会第44回年次大会 2024)
  • 点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響
    (第52回結晶成長国内会議(JCCG-52) 2023)
  • CsLiB6O10結晶中における光散乱中心の熱処理に対する影響
    (第52回結晶成長国内会議(JCCG-52) 2023)
  • フラックス過剰溶液からの非線形光学結晶CsLiB6O10の結晶成長
    (第52回結晶成長国内会議(JCCG-52) 2023)
  • ヒト尿路結石を用いたシュウ酸カルシウム二水和物の結晶表面における溶解の観察
    (第52回結晶成長国内会議(JCCG-52) 2023)
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学歴 (3件):
  • 2013 - 2016 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
  • 2012 - 2013 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
  • - 2012 大阪大学 工学部 電子情報工学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (5件):
  • 2020/10 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 准教授
  • 2018/04 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター 助教
  • 2018 - 2020/09 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 助教
  • 2016/09 - 2018/03 大阪大学 大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター 助教
  • 2016/04 - 2016/08 大阪大学 大学院工学研究科 特任研究員(常勤)
受賞 (10件):
  • 2022/11 - 日本結晶成長学会 第51回結晶成長国内会議講演奨励賞 OVPE法によるβ相酸化ガリウム結晶のエピタキシャル成長
  • 2022/06 - フジサンケイ ビジネスアイ 第35回 独創性を拓く 先端技術大賞 社会人部門 特別賞 Naフラックス法とOVPE法を組み合わせた高品質・大型GaN結晶成長技術 ~脱炭素社会化に貢献するGaNデバイスの普及を目指して~
  • 2020/09 - 公益社団法人 応用物理学会 応用物理学会論文賞
  • 2020/07 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会研究奨励賞 Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長
  • 2020/03 - 公益社団法人 応用物理学会 第80回応用物理学会秋季学術講演会 奨励賞 結晶工学:Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅
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所属学会 (3件):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会結晶工学分科会 ,  応用物理学会
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