研究者
J-GLOBAL ID:201801007999056043   更新日: 2021年09月02日

今西 正幸

イマニシ マサユキ | Imanishi Masayuki
所属機関・部署:
職名: 助教
研究分野 (1件): 電気電子材料工学
研究キーワード (3件): ポイントシード ,  Naフラックス法 ,  GaN
競争的資金等の研究課題 (5件):
  • 2021 - 2023 毒性ガスフリーのOVPE法による高品質酸化ガリウム結晶成長技術
  • 2020 - 2023 酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発
  • 2018 - 2020 Naフラックス法を用いた無欠陥GaN結晶大口径化技術の研究開発
  • 2017 - マイクロチャネルエピタキシーを用いた高品質・大口径GaN基板の作製
  • 2014 - 2016 Naフラックス法を用いた低反り・低欠陥窒化ガリウムウエハ作製技術の研究開発
論文 (64件):
  • Akira Uedono, Junichi Takino, Tomoaki Sumi, Yoshio Okayama, Masayuki Imanishi, Shoji Ishibashi, Yusuke Mori. Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation. Journal of Crystal Growth. 2021. 570. 126219-11-126219-6
  • T. Hamachi, T. Tohei, Y. Hayashi, M. Imanishi, S. Usami, Y. Mori, N. Ikarashi, A. Sakai. Propagation of threading dislocations and effects of Burgers vectors in HVPE-grown GaN bulk crystals on Na-flux-grown GaN substrates. Journal of Applied Physics. 2021. 129. 22. 225701-1-225701-19
  • Takahiro Kawamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa. Activation free energies for formation and dissociation of N-N, C-C, and C-H bonds in a Na-Ga melt. Computational Materials Science. 2021. 194. 110366-110366
  • Mayuko Tsukakoshi, Tomoyuki Tanikawa, Takumi Yamada, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masahiro Uemukai, Ryuji Katayama. Identification of Burgers vectors of threading dislocations in freestanding GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping. Applied Physics Express. 2021. 14. 5. 055504-1-055504-4
  • Yuka Tsuri, Nana Inaoka, Mihoko Maruyama, Katsuo Tsukamoto, Hiroaki Adachi, Hiroshi Y. Yoshikawa, Kazufumi Takano, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori. Effects of entrapped gas on the surface of a plastic ball induced by ultrasonic irradiation on the enhancement of crystallization of acetaminophen form II. Journal of Crystal Growth. 2020. 557. 125994-1-125994-7
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MISC (10件):
  • 今西 正幸. Naフラックスポイントシード法で作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅. アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート. 2020. 7. 20-21
  • 今西正幸. Naフラックス法によるGaN結晶の大口径化とその光学特性評価. 大阪大学低温センターだより. 2020. 170. 2-7
  • 今西正幸. 結晶成長国際会議(ICCGE-19/OMVPE-19)報告. Crystal Letters. 2019. 72. 41-41
  • 今西正幸. Naフラックスポイントシード法による高品質GaN結晶の大口径化. アトミックデザイン研究センターアニュアルレポート. 2019. 6. 20-21
  • 今西正幸. あとがき(クリスタルレターズ 1 月号). Crystal Letters. 2019. 70. 63-63
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特許 (19件):
講演・口頭発表等 (145件):
  • Growth of a High Quality GaN Wafer from Point Seeds by the Na-Flux Method
    (The 28th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD21) 2021)
  • ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • OVPE-GaN(高濃度酸素添加GaN)結晶黒色化の起源
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • Laser pulse duration effects on laser-induced crystallization of urea
    (The8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8) 2021)
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学歴 (3件):
  • 2013 - 2016 大阪大学 電気電子情報工学専攻
  • 2012 - 2013 大阪大学 電気電子情報工学専攻
  • - 2012 大阪大学 電子情報工学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (大阪大学)
経歴 (5件):
  • 2020/10 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 准教授
  • 2018/04 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター 助教
  • 2018 - 2020/09 大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報通信工学専攻 助教
  • 2016/09 - 2018/03 大阪大学 大学院工学研究科 アトミックデザイン研究センター 助教
  • 2016/04 - 2016/08 大阪大学 大学院工学研究科 特任研究員(常勤)
受賞 (8件):
  • 2020/09 - 公益社団法人 応用物理学会 応用物理学会論文賞
  • 2020/07 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会研究奨励賞 Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長
  • 2020/03 - 公益社団法人 応用物理学会 第80回応用物理学会秋季学術講演会 奨励賞 結晶工学:Naフラックスポイントシード法により作製した大口径GaN結晶における転位の対消滅
  • 2018/04 - 公益財団法人船井情報科学振興財団 船井研究奨励賞 低欠陥・大口径・厚膜GaN結晶を実現するハイブリット成長法の開発
  • 2016/03 - 大阪大学 菅田-Cohen賞(博士)
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所属学会 (3件):
日本結晶成長学会 ,  応用物理学会結晶工学分科会 ,  応用物理学会
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