特許

J-GLOBAL ID：202203019750231943

III族窒化物結晶の製造方法

発明者： 森 勇介 ,  吉村 政志 ,  今西 正幸 ,  北本 啓 ,  滝野 淳一 ,  隅 智亮 ,  岡山 芳央
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学 ,  パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 松谷 道子 ,  岡部 博史 ,  稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-115825
公開番号（公開出願番号）：特開2022-013337
出願日： 2020年07月03日
公開日（公表日）： 2022年01月18日
要約：

【課題】多結晶化が抑制されるとともに成長速度の速いIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、種基板を準備する工程と、III族元素酸化物ガスを生成する工程と、III族元素酸化物ガスを供給する工程と、窒素元素含有ガスを供給する工程と、窒素元素含有酸化性ガスを供給する工程と、種基板にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を含み、窒素元素含有酸化性ガスは、NOガス、NO 2 ガス、N 2 Oガス、及びN 2 O 4 ガスからなる群から選択される少なくとも一種を含む。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

種基板を準備する工程と、 III族元素酸化物ガスを生成する工程と、 前記III族元素酸化物ガスを供給する工程と、 窒素元素含有ガスを供給する工程と、 NOガス、NO 2 ガス、N 2 Oガス、及びN 2 O 4 ガスからなる群から選択される少なくとも一種を含む窒素元素含有酸化性ガスを供給する工程と、 前記種基板にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、 を含む、 III族窒化物結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C23C16/34

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB02 ,  4G077DB04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077GA06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB13 ,  4G077TC06 ,  4G077TC07 ,  4G077TC08 ,  4G077TG06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開第2015/053341号
  

審査官引用 (3件)

• III族窒化物結晶の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-092687   出願人：パナソニック株式会社
• 窒化物半導体製造装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2017-214111   出願人：パナソニックIPマネジメント株式会社
• 自立基板の製造方法および自立基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-097384   出願人：古河機械金属株式会社