III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：松谷道子 , 岡部博史 , 稲葉和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-102594
公開番号（公開出願番号）：特開2021-195280
出願日： 2020年06月12日
公開日（公表日）： 2021年12月27日
要約：

【課題】優れた導電性及び低い吸光係数を有するIII族窒化物結晶、及びその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、III族元素含有ガスと、窒素元素含有ガスと、N型ドーパント含有ガスと、ゲルマニウム元素含有ガスと、を導入する工程と、導入されたIII族元素含有ガスと窒素元素含有ガスとN型ドーパント含有ガスとゲルマニウム元素含有ガスとを反応させて、種基板上で、III族窒化物結晶を生成させる工程と、を有する。III族窒化物結晶は、N型ドーパント及びゲルマニウム元素がドーピングされ、N型ドーパントの濃度は1×1019cm-3以上であり、ゲルマニウム元素の濃度は、N型ドーパントの濃度の9倍以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物結晶であって、 N型ドーパント及びゲルマニウム元素がドーピングされ、前記N型ドーパントの濃度は1×1019cm-3以上であり、前記ゲルマニウム元素の濃度は、前記N型ドーパントの濃度の9倍以上である、 III族窒化物結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/38 , C30B 25/20

FI (2件)：

C30B29/38 D , C30B25/20

Fターム (21件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB04 , 4G077AB06 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077GA01 , 4G077GA05 , 4G077GA06 , 4G077GA07 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB02 , 4G077TB04

引用特許：

審査官引用 (4件)

自立基板、及び、自立基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2016-199366 出願人：古河機械金属株式会社
窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2018-094775 出願人：株式会社サイオクス, 住友化学株式会社
n型III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-123494 出願人：豊田合成株式会社, 日本碍子株式会社, 国立大学法人大阪大学

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