特許
J-GLOBAL ID：202203007445385703
III族窒化物結晶、III族窒化物基板、及びIII族窒化物結晶の製造方法
出願人/特許権者：
パナソニック株式会社
パナソニック株式会社 について
代理人 (3件)： 松谷 道子 , 岡部 博史 , 稲葉 和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-102594
公開番号（公開出願番号）：特開2021-195280
出願日： 2020年06月12日
公開日（公表日）： 2021年12月27日
要約：
【課題】優れた導電性及び低い吸光係数を有するIII族窒化物結晶、及びその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物結晶の製造方法は、III族元素含有ガスと、窒素元素含有ガスと、N型ドーパント含有ガスと、ゲルマニウム元素含有ガスと、を導入する工程と、導入されたIII族元素含有ガスと窒素元素含有ガスとN型ドーパント含有ガスとゲルマニウム元素含有ガスとを反応させて、種基板上で、III族窒化物結晶を生成させる工程と、を有する。III族窒化物結晶は、N型ドーパント及びゲルマニウム元素がドーピングされ、N型ドーパントの濃度は1×1019cm-3以上であり、ゲルマニウム元素の濃度は、N型ドーパントの濃度の9倍以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物結晶であって、
N型ドーパント及びゲルマニウム元素がドーピングされ、
前記N型ドーパントの濃度は1×1019cm-3以上であり、
前記ゲルマニウム元素の濃度は、前記N型ドーパントの濃度の9倍以上である、
III族窒化物結晶。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (21件)：
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB04
, 4G077AB06
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077DB05
, 4G077EA02
, 4G077EB01
, 4G077ED06
, 4G077GA01
, 4G077GA05
, 4G077GA06
, 4G077GA07
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TA07
, 4G077TB02
, 4G077TB04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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自立基板、及び、自立基板の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2016-199366 出願人：古河機械金属株式会社 -
窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2018-094775 出願人：株式会社サイオクス, 住友化学株式会社 -
n型III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2009-123494 出願人：豊田合成株式会社, 日本碍子株式会社, 国立大学法人大阪大学
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