研究者
J-GLOBAL ID：201801013717882329   更新日: 2024年01月30日

宮田 典幸

ミヤタ ノリユキ | Noriyuki Miyata
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2019 - 2022 界面ダイポール変調の抵抗変化型メモリ応用とスイッチング機構の解明
  • 2016 - 2019 多層界面ダイポール変調不揮発メモリの酸化膜界面構造最適化とアナログ動作モデリング
  • 2012 - 2015 III-V族pチャネルMOSFETのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御
  • 2011 - 2012 金属酸化物の表面反応性を利用したグラフェンの創成
  • 2009 - 2012 革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発
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論文 (122件)：
  • Yuto Miyatake, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Takashi Nakano, Makoto Okano, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka. Proposal of Low-Loss Non-Volatile Mid-Infrared Optical Phase Shifter Based on Ge2Sb2Te3S2. IEEE Transactions on Electron Devices. 2023. 70. 4. 2106-2112
  • Yuto Miyatake, Chong Pei Ho, Prakash Pitchappa, Ranjan Singh, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Takashi Nakano, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, et al. Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge2Sb2Te5 operating at 2.3 μm. Optical Materials Express. 2022. 12. 12. 4582-4582
  • Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Ryousuke Sano, Reito Wada, Hiroshi Nohira. Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2 metal-oxide-semiconductor stacks: capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies. Applied Physics Express. 2021. 14. 7. 071005-071005
  • Shutaro Asanuma, Kyoko Sumita, Yusuke Miyaguchi, Kazumasa Horita, Takehito Jimbo, Kazuya Saito, Noriyuki Miyata. Thermal stability of interface dipole modulation in atomic layer-deposited HfO2/SiO2 multi-stack structures. AIP Advances. 2020. 10. 8. 085114-085114
  • Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Satoshi Sumi, Hiroyuki Awano, Shuichi Murakami. Topologically protected spin diffusion and spin generator using chalcogenide superlattices. NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS. 2020. 4. 1
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MISC (137件)：
  • 桐原芳治, 和田励虎, 辻口良太, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司. HAXPESによる界面ダイポール変調機構の解明. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
  • 桐原芳治, 辻口良太, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司. HAXPESによる界面ダイポール変調発生の確認. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 宮田 典幸, 奈良 純, 山崎 隆浩, 住田 杏子, 佐野 良介, 野平 博司. 招待講演 HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作-シリコン材料・デバイス. 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2019. 118. 429. 27-30
  • Noriyuki Miyata, Jun Nara, Takahiro Yamasaki, Kyoko Sumita, Ryousuke Sano, Hiroshi Nohira. Interface Dipole Modulation in HfO 2 /SiO 2 MOS Stack Structures. Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM. 2019. 2018-December. 7.6.1-7.6.4
  • 宮田典幸, 奈良純, 山崎隆浩, 住田杏子, 佐野良介, 野平博司. HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作. 電子情報通信学会技術研究報告. 2019. 118. 429(SDM2018 81-90)
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特許 (16件)：
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