表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西澤利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-195290
公開番号（公開出願番号）：特開2015-061025
出願日： 2013年09月20日
公開日（公表日）： 2015年03月30日
要約：

【課題】表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造を提供する。【解決手段】清浄化されたSi(111)基板表面上に、分子線エピタキシー法で厚さが少なくとも2nm以上のInAs二次元層をバッファー層として形成した後、さらにその上に、分子線エピタキシー法で表面の平坦性に優れ且つ低欠陥密度であるGaSbエピタキシャル薄膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

清浄化されたSi(111)基板表面上に、分子線エピタキシー法で厚さが少なくとも2nm以上のInAs二次元層をバッファー層として形成した後、さらにその上に、分子線エピタキシー法で表面の平坦性に優れ且つ低欠陥密度であるGaSbエピタキシャル薄膜を形成することを特徴とするGaSb/InAs/Si(111)構造の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/203 , C30B 29/40 , C30B 23/08 , C23C 14/06 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 31/10

FI (7件)：

H01L21/203 M , C30B29/40 502K , C30B29/40 A , C30B23/08 M , C23C14/06 G , H01L29/78 301B , H01L31/10 A

Fターム (39件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077BE41 , 4G077DA05 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA01 , 4G077SC01 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA41 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029CA01 , 4K029FA04 , 4K029FA06 , 5F049MB07 , 5F049NA13 , 5F049PA01 , 5F049PA18 , 5F049QA18 , 5F049SS03 , 5F049SS09 , 5F049WA01 , 5F103AA04 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL05 , 5F103LL08 , 5F103NN01 , 5F103NN04 , 5F103RR05 , 5F103RR06 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA20

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体ウエハおよび半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-146614 出願人：住友電気工業株式会社
赤外線撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-277168 出願人：富士通株式会社
化合物半導体積層体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-029329 出願人：旭化成株式会社

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引用文献：

審査官引用 (5件)

High quality InAs and GaSb thin layers grown on Si(111)
Polarity controlled InAs{111} films grown on Si(111)
Study of interfaces chemistry in type-II GaSb/InAs superlattice structures

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