特許
J-GLOBAL ID：201503087107404229

表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス

発明者：
大竹 晃浩

大竹 晃浩 について

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間野 高明

間野 高明 について

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宮田 典幸

宮田 典幸 について

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安田 哲二

安田 哲二 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-195290
公開番号（公開出願番号）：特開2015-061025
出願日： 2013年09月20日
公開日（公表日）： 2015年03月30日
要約：
【課題】表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造を提供する。【解決手段】清浄化されたSi(111)基板表面上に、分子線エピタキシー法で厚さが少なくとも2nm以上のInAs二次元層をバッファー層として形成した後、さらにその上に、分子線エピタキシー法で表面の平坦性に優れ且つ低欠陥密度であるGaSbエピタキシャル薄膜を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
清浄化されたSi(111)基板表面上に、分子線エピタキシー法で厚さが少なくとも2nm以上のInAs二次元層をバッファー層として形成した後、さらにその上に、分子線エピタキシー法で表面の平坦性に優れ且つ低欠陥密度であるGaSbエピタキシャル薄膜を形成することを特徴とするGaSb/InAs/Si(111)構造の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 21/203 ,  C30B 29/40 ,  C30B 23/08 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 31/10
FI (7件)：
H01L21/203 M ,  C30B29/40 502K ,  C30B29/40 A ,  C30B23/08 M ,  C23C14/06 G ,  H01L29/78 301B ,  H01L31/10 A
Fターム (39件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE41 ,  4G077DA05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077HA01 ,  4G077SC01 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029CA01 ,  4K029FA04 ,  4K029FA06 ,  5F049MB07 ,  5F049NA13 ,  5F049PA01 ,  5F049PA18 ,  5F049QA18 ,  5F049SS03 ,  5F049SS09 ,  5F049WA01 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL05 ,  5F103LL08 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA20
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (14件)
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引用文献：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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