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J-GLOBAL ID：201802210806066614   整理番号：18A0910886

トンネル電界効果トランジスタの短チャネル効果シミュレーション

Simulation study of short-channel effects of tunnel field-effect transistors

著者 (11件)： FUKUDA Koichi (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ASAI Hidehiro (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  HATTORI Junichi (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MORI Takahiro (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MORITA Yukinori (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIZUBAYASHI Wataru (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MASAHARA Meishoku (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MIGITA Shinji (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OTA Hiroyuki (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ENDO Kazuhiro (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  MATSUKAWA Takashi (National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 4S  ページ： 04FD04.1-04FD04.4  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *短チャネル効果 ,  *計算機シミュレーション ,  *トンネル効果 ,  *バンド構造 ,  膜厚 ,  特性
準シソーラス用語： *トンネル電界効果トランジスタ ,  *デバイスシミュレーション ,  *バンド間トンネリング ,  *電子バンド構造 ,  EOT ,  デバイス特性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネル電界効果トランジスタ ,  短チャネル効果 ,  シミュレーション