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J-GLOBAL ID：201802215340393620   整理番号：18A0912188

Si基板と接合された膜型GaInAs/InP導波路型p-i-nフォトダイオードの20Gbps動作

20 Gbps operation of membrane-based GaInAs/InP waveguide-type p-i-n photodiode bonded on Si substrate

著者 (5件)： GU Zhichen (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  INOUE Daisuke (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  AMEMIYA Tomohiro (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHIYAMA Nobuhiko (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI Shigehisa (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 2  ページ： 022102.1-022102.4  発行年： 2018年02月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaInAs/InP導波路型p-i-n膜光検出器は,オンチップ光相互接続の強力な候補であることが示されている。デバイスの長さが30μmの場合,0.95A/Wの応答性が推定される。3dBのカットオフ周波数は,3Vの逆バイアスで13.3GHzと測定され,これは,非ゼロ復帰信号の場合,20Gbpsまでの観測されたクリアアイ開口パターンとよく一致した。さらに,20および10Gbpsのデータ速度,それぞれ-10および-13dBmの入力電力で,1×10^-9未満のビット誤り率が得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *接合 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *リン化インジウム ,  *導波路 ,  *半導体検出器 ,  フォトダイオード ,  超小形回路技術 ,  配線 ,  応答特性 ,  遮断周波数 ,  誤り率
準シソーラス用語： *PIN半導体検出器 ,  Si基板 ,  *ウエハボンディング ,  オンチップ ,  ビット誤り率 ,  光相互接続

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  光集積回路,集積光学  (BD06050D)

引用文献 (21件)：

• P. Kapur, J. P. McVittie, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices 49, 590 (2002).
• P. Kapur, G. Chandra, J. P. McVittie, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices 49, 598 (2002).
• D. A. B. Miller, Proc. IEEE 97, 1166 (2009).
• S. Arai, N. Nishiyama, T. Maruyama, and T. Okumura, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17, 1381 (2011).
• J. van der Tol, R. Zhang, J. Pello, F. Bordas, G. Roelkens, H. Ambrosius, P. Thijs, F. Karouta, and M. Smit, IET Optoelectron. 5, 218 (2011).

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  GaInAs ,  InP ,  導波路 ,  フォトダイオード