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J-GLOBAL ID:201802217696060994   整理番号:18A1646043

シリコンウエハ上の金属汚染物質の除去に及ぼす希釈HF溶液中の有機酸の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of organic acids in dilute HF solutions on removal of metal contaminants on silicon wafer
著者 (7件):
資料名:
巻: 198  ページ: 98-102  発行年: 2018年 
JST資料番号: C0406B  ISSN: 0167-9317  CODEN: MIENEF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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10nm以下の半導体デバイスにおける継続的進歩により,超希薄ウエハ表面(すなわち,最終基板表面上の金属汚染<1×10~9原子/cm2)に対する要求仕様は非常に挑戦的になっている。洗浄プロセスの間,Cu汚染は還元電位差に従ってシリコン原子から電子を引き出すことによって起こるが,AlはH2Oとの反応で水酸化物または酸化物を形成する。本論文では,Si表面からのCuおよびAl金属の除去に及ぼすキレート剤の影響をDHF(Diluteフッ化水素酸)溶液中で調べた。高濃度のキレート剤(8mM)を含む溶液中で,DHF/シュウ酸中のCu除去効率はDHF/クエン酸中のそれより高かった。この場合,シュウ酸はより低いpHでクエン酸よりイオン化され,観察された結果に導いた。より低い濃度(6mM)では,DHF/クエン酸はより高いCu除去効率を示した。これは,クエン酸がシュウ酸より多くのカルボン酸基を有するために起こる。キレート剤とのみ反応するCuと対照的に,Al除去効率は,キレート剤とHFの両方と反応するので,全ての条件で>95%であった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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