抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
パワーエレクトロニクス(PE)技術は,機器の省エネルギーや創エネルギー(太陽光発電や風力発電,地熱発電などのCO
2を排出しない電気エネルギーの創造)をより高効率化し,持続可能な社会づくりや環境負荷低減に貢献できる重要技術である。三菱電機では民生から産業,自動車,電鉄・電力までの製品用途に最適に設計したチップとモジュールパッケージ技術を組み合わせ,百W級から数MW級までのパワーモジュールを製造し,多様なPE製品に応用してきた。その心臓部がパワー半導体デバイスである。現在まで目覚ましい進化を遂げたSi(シリコン)-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やダイオードがその主力であり,これらを一体化したRC(Reverse Conducting)-IGBTの適用も進んでいる。デバイスに加えて,製品の耐久性や耐環境性などを決めるモジュール技術についても改善を重ね,信頼性の高い製品を創出してきた。また,PE機器の更なる高性能化や小型化に向けては,SiC(シリコンカーバイド)デバイスの適用範囲拡大に高い期待と関心が寄せられている。最新デバイスを,価格面や実装形態などの面で,より使いやすくするように改善を続け,それぞれの応用用途に最適なデバイスとモジュール製品を開発・提供することで,持続的社会での環境の維持向上にますます貢献していく。(著者抄録)
