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J-GLOBAL ID：201802224876628648   整理番号：18A1520299

Raman散乱と赤外反射分光法によるGaNバルク基板のキャリア濃度と移動度のキャラクタリゼーション

Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies

著者 (6件)： KANEGAE Kazutaka (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KANEKO Mitsuaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HORITA Masahiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 7  ページ： 070309.1-070309.4  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10¹⁶-10²⁰cm^-3のキャリア濃度(n)を持つn型GaNバルク基板をRaman散乱(350-5000cm^-1)と赤外反射(400-5000cm^-1)分光法により特徴付けた。実験スペクトルを誘電関数とGaNバルクのキャリア濃度および移動度から計算した曲線にフィットした。得られた値は,Raman散乱測定における10¹⁶-10¹⁹cm^-3のnおよび赤外反射測定における10¹⁸-10²⁰cm^-3のnに対してHall効果測定からの値とよく一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *N型半導体 ,  原料 ,  基板 ,  *キャリア密度 ,  *Raman散乱 ,  *赤外スペクトル ,  *反射スペクトル ,  誘電関数 ,  Hall効果 ,  *キャリア移動度 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： バルク ,  赤外反射スペクトル ,  電子移動度

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

引用文献 (28件)：

• T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• T. Oka, Y. Ueno, T. Ina, and K. Hasegawa, Appl. Phys. Express 7, 021002 (2014).
• H. Nie, Q. Diduck, B. Alvarez, A. Z. Edwards, B. M. Kayes, M. Zhang, G. Ye, T. Prunty, D. Bour, and I. C. Kizilyalli, IEEE Electron Device Lett. 35, 939 (2014).
• A. A. Kukharskii, Solid State Commun. 13, 1761 (1973).
• G. Irmer, V. V. Toporov, B. H. Bairamov, and J. Monecke, Phys. Status Solidi B 119, 595 (1983).

タイトルに関連する用語 (8件)： Raman散乱 ,  赤外反射 ,  分光法 ,  GaN ,  バルク ,  キャリア濃度 ,  移動度 ,  キャラクタリゼーション