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J-GLOBAL ID：201802227288483567   整理番号：18A1698777

光熱偏向分光法によるMgイオン注入GaN層の評価

著者 (8件)： 福田清貴 (物質・材料研究機構) ,  福田清貴 (工学院大) ,  高島信也 (富士電機) ,  尾沼猛儀 (工学院大) ,  山口智広 (工学院大) ,  本田徹 (工学院大) ,  上殿明良 (筑波大) ,  角谷正友 (物質・材料研究機構)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-CE-15  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *イオン注入 ,  *マグネシウム ,  光熱偏向分光法 ,  キャラクタリゼーション ,  陽電子消滅 ,  価電子バンド ,  陽電子消滅分光法
準シソーラス用語： 陽電子消滅スペクトロスコピー

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光熱偏向分光法 ,  Mgイオン ,  注入 ,  GaN ,  評価