文献

J-GLOBAL ID：201802229496950111   整理番号：18A0728898

分光光電子ホログラフィー法によるシリコン中にドープした不純物原子の3D原子配置の解析【JST・京大機械翻訳】

Analyses of 3D atomic arrangements of impurity atoms doped in silicon by spectro-photoelectron holography technique

著者 (11件)： Tsutsui Kazuo (Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259-J2-69, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Matsushita Tomohiro (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Muro Takayuki (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo 679-5198, Japan) ,  Morikawa Yoshitada (Department of Precision Science and Technology, Osaka University, 2-1, Yamada-oka, Suita, Osaka 565-0871, Japan) ,  Natori Kotaro (School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Hoshii Takuya (School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Kakushima Kuniyuki (School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Wakabayashi Hitoshi (School of Engineering, Tokyo Institute of Technology, 4259, Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8502, Japan) ,  Hayashi Kouichi (Department of Physical Science and Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya, Aichi 466-8555, Japan) ,  Matsui Fumihiko (Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology, Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Kinoshita Toyohiko (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), 1-1-1 Kouto, Sayo, Hyogo 679-5198, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IWJT  ページ： 1-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理シミュレーションと組み合わせた分光光電子ホログラフィー法により,シリコン(Si)結晶中にドープしたヒ素(As)原子の局所三次元原子構造を決定した。3dコアレベル光電子分光法は,BEH,BEMおよびBELと表示される3種類のAs原子の存在を示した。BEHのAs原子は置換サイトを占める電気的に活性なAsに対応していたが,BEMのAs原子はAs_nV(n=2~4)型クラスタに埋め込まれた電気的に不活性なAsに対応し,BELのそれらは局所的に不規則な構造の電気的に不活性なAsに帰属された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： クラスタ ,  第一原理 ,  ヒ素 ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  *三次元 ,  原子構造 ,  光電子分光法 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： *原子配置 ,  *不純物原子 ,  *光電子ホログラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 分子構造  (EB03020Y) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分光 ,  光電子ホログラフィー ,  シリコン ,  ドープ ,  不純物原子 ,  3D ,  原子配置 ,  解析