トリミング工程における非対称エッチングプロファイルの機構

NEGISHI Nobuyuki; NEGISHI Nobuyuki; MIYAKE Masatoshi; TAKEDA Keigo; HORI Masaru

文献

J-GLOBAL ID：201802230672613694 整理番号：18A2161644

トリミング工程における非対称エッチングプロファイルの機構

Mechanism of asymmetric etched profiles in trimming process

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=18A2161644&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=18A2161644&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 57 号： 10 ページ： 106201.1-106201.8 発行年： 2018年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ウエハエッジ領域における非対称エッチングプロファイルを改善するために,真空紫外吸収分光法を用いたプラズマプロセスシステムにより,トリミング過程における原子状酸素密度分布と非対称エッチングプロファイルの程度を評価した。不均一な原子状酸素分布は,反対側のそれと比較して,より高い原子状酸素密度側でより大きなトリミング量を有する非対称エッチングプロファイルを生成することが分かった。非対称エッチングプロファイルの程度と原子酸素密度分布の勾配の間には強い関係がある。さらに,非対称エッチングプロファイルの程度の定式化は,より高いガス圧力条件下でのより短い平均自由行程が非対称エッチングプロファイルを改善できることを明らかにした。ガス圧が2.7から10.8Paに増加すると,非対称エッチングプロファイルの程度は約70%改善されることが実験的に確認された。(翻訳著者抄録)

, , , , , , ,
, ,

固体デバイス製造技術一般

引用文献 (30件)：

K. K. Young, IEEE. Trans. Electron Devices 36, 399 (1989).
N. Sugii, K. Nakagawa, S. Yamaguchi, and M. Miyao, Appl. Phys. Lett. 75, 2948 (1999).
J. L. Hoyt, H. M. Nayfeh, S. Eguchi, I. Aberg, G. Xia, T. Drake, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, IEDM Tech. Dig., 2002, p. 23.
K. Mistry, C. Allen, C. Auth, B. Beattie, D. Bergstrom, M. Bost, M. Brazier, M. Buehler, A. Cappellani, R. Chau, C.-H. Choi, G. Ding, K. Fischer, T. Ghani, R. Grover, W. Han, D. Harken, M. Hattendorf, J. He, J. Hicks, R. Huessner, D. Ingerly, P. Jain, R. James, L. Jong, S. Joshi, C. Kenyon, K. Kuhn, K. Lee, H. Liu, J. Maiz, B. McIntyre, P. Moon, J. Neirynck, S. Pae, C. Parkar, D. Parsons, C. Prasad, L. Pipes, M. Prince, P. Ranade, T. Reynolds, J. Sandford, L. Shifren, J. Sebastian, J. Seiple, D. Simon, S. Sivakumar, P. Smith, C. Thomas, T. Troeger, P. Vandervoorn, S. Williams, and K. Zawadzki, IEDM Tech. Dig., 2007, p. 247.
D. Hisamoto, T. Kaga, Y. Kawamoto, and E. Takeda, IEDM Tech. Dig., 1989, p. 833.

, , ,

前のページに戻る