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J-GLOBAL ID：201802244664265277   整理番号：18A1860095

パワーデバイス応用のための銀応力マイグレーション接合による大面積ダイ付着【JST・京大機械翻訳】

Large-area die-attachment by silver stress migration bonding for power device applications

著者 (8件)： Noh Seungjun (Department of Adaptive Machine Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Japan) ,  Noh Seungjun (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki, Japan) ,  Zhang Hao (Department of Adaptive Machine Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Japan) ,  Yeom Jeyun (Department of Adaptive Machine Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Japan) ,  Yeom Jeyun (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki, Japan) ,  Chen Chuantong (Department of Adaptive Machine Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Japan) ,  Li Caifu (Department of Adaptive Machine Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Japan) ,  Suganuma Katsuaki (Department of Adaptive Machine Systems, Graduate School of Engineering, Osaka University, Suita, Japan)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 88-90  ページ： 701-706  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,大面積ダイアアタッチメントの応用のためのAg応力移動接合(SMB)技術を用いる可能性を明らかにした。種々の接合条件でAg層上にヒロック成長がどのように変化するか,それが大面積でどのように変化し,それが結合強度にどのように関連するかを観察した。SMBプロセスを用いることにより,大きな接合面積(20×20mm2)を達成し,300°Cで40.5MPaの平均曲げ強度をもたらした。加熱中のその場応力解析は,Ag層/基板界面でのCTE不整合により圧縮熱応力が発生し,全体領域で約100°Cから放出されることを確認した。残留応力の緩和は,ナノ火山噴火機構によって解明された異常な銀ヒロックの形成によって引き起こされる。種々の領域における結合強度は,ヒロック成長が全体の結合領域で均一に起こり得ることを示している。著者らの研究は,SMBプロセスがパワーデバイス電子応用における大面積結合のための魅力的な技術であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 応力解析 ,  曲げ強さ ,  *銀 ,  噴火活動 ,  結合部位 ,  残留応力 ,  熱応力 ,  *付着 ,  付着強さ ,  不整合 ,  *接合 ,  界面
準シソーラス用語： ヒロック ,  *大面積 ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 応力マイグレーション接合 ,  異常なヒロック成長 ,  栄養補助 ,  ワイドバンドギャップ

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： パワーデバイス ,  応用 ,  銀 ,  応力マイグレーション ,  大面積 ,  ダイ