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J-GLOBAL ID：201802255795587876   整理番号：18A1238156

Si基板に格子整合したIII-V-N混晶の成長とデバイス応用

Heteroepitaxy of lattice-matched III-V-N/Si and its applications

著者 (2件)： 若原昭浩 (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  山根啓輔 (豊橋技科大 大学院工学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 87  号： 7  ページ： 494-500  発行年： 2018年07月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン(Si)基板上への,化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長について,近年の評価技術の進歩により,かつては推測で議論されていた現象を実際に観測することが可能となっている。このことにより,Si基板上に低転位のGaPテンプレートが実現され,Siと格子整合するIII-V-N混晶によるバンドギャップエンジニアリングや導電性制御が達成され,デバイス応用が現実のものとなりつつある。本稿では,III-V/Si成長時のキーテクノロジーとなるSi表面制御,欠陥抑制のための表面核形成制御技術,Siと格子整合するGaAsPN混晶の成長と導電性制御,およびデバイス応用に向けた取り組みについて解説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *格子整合 ,  *混晶半導体 ,  *ヘテロエピタクシー ,  *転位【結晶】 ,  *バンドギャップ ,  *導電性 ,  欠陥 ,  *核形成 ,  *制御 ,  窒素化合物 ,  *集積回路 ,  評価技術 ,  テンプレート【型板】 ,  動的表面制御 ,  III-V半導体 ,  ヒ化リン化ガリウム ,  *シリコンウエハ ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： III-V族化合物半導体 ,  *エンジニアリング ,  キーテクノロジー ,  GaAsP ,  *シリコン基板 ,  薄膜デバイス

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  電気物性一般  (BM03010R)

引用文献 (28件)：

• 西永頌:応用物理 55,1069(1986).
• 梅野正義,神保孝志,江川孝志:応用物理 72,273(2003).
• H. Kroemer: J. Cryst. Growth 81, 193 (1987).
• A.E. Romanov, W. Pompe, S. Mathis, G.E. Beltz, and J.S. Speck: J. Appl. Phys. 85, 182 (1999).
• Y. Takagi, H. Yonezu, K. Samonji, T. Tsuji, and N. Ohshima: J. Cryst. Growth 187, 42 (1998).

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  格子整合 ,  混晶 ,  成長 ,  応用