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J-GLOBAL ID：201802259137483433   整理番号：18A0118346

単結晶シリコン薄膜転写技術によるプラスチック上CMOS回路動作

Single-crystalline Silicon Layer Transfer Technique Utilizing Meniscus Force and Its Application to CMOS Device Fabrication on Plastic Substrate

著者 (1件)： 東清一郎 (広島大 大学院先端物質科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 334(OME2017 35-48)  ページ： 53-57  発行年： 2017年11月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： BOX層のウットエッチングにより形成した中空構造を有するSOIウエハと転写先基板とを純水を介して対向密着し,加熱蒸発の際に発生するメニスカス力を利用してSOI層を転写する技術を提案した。転写歩留まりを左右するBOX層のピラー形状をイオン注入によりテーパー状に制御する方法(pillar shaping implantation:PSI)を考案し,これによりSOI/BOX界面での分離・転写が可能となった。プラスチック(PET)基板上に作製したn-およびp-MOSTFTは電界効果移動度529および191cm²V^-1s^-1の高い値を示し,CMOS回路の動作に成功した。本手法が低温プロセスでプラスチック上に高性能CMOSデバイス作製に有効であることを実証した。(著者抄録)

シソーラス用語： *単結晶 ,  *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *パターン転写 ,  フレキシブル基板 ,  CMOS構造 ,  *薄膜トランジスタ ,  メニスカス ,  酸化膜 ,  *SOI構造 ,  ウェットエッチング ,  ウエハ【IC】 ,  P型半導体 ,  N型半導体 ,  論理回路 ,  *入出力特性 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： BOX ,  プラスチック基板 ,  CMOSインバータ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 053505.
• S. Oh, B. S. Yang, Y. J. Kim, M. S. Oh, M. Jang, H. Yang, J. K. Jeong, C. S. Hwang, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 092107.
• L.-F. Teng, P.-T. Liu, Y.-J. Lo, and Y.-J. Lee, Appl. Phys. Lett. 101 (2012) 132901.
• H.-C. Cheng, and C.-Y. Tsay, Journal of Alloys and Compounds 507 (2010) L1.
• N. M?nzenrieder, C. Zysset, L. Petti, T. Kinkeldei, G. A. Salvatore, and G.Tr?ster, Solid-State Electronics 84 (2013) 198.

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  シリコン薄膜 ,  転写 ,  プラスチック ,  CMOS回路