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J-GLOBAL ID：201802267749651325   整理番号：18A1420429

NaF処理によるBi₂(O,F)S₂超伝導体の合成

Synthesis of Bi₂(O,F)S₂ superconductors by NaF treatment

著者 (7件)： TAKAHASHI Natsuumi (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi) ,  NAGAO Masanori (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi) ,  MIURA Akira (Faculty of Engineering, Hokkaido University) ,  WATAUCHI Satoshi (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi) ,  TADANAGA Kiyoharu (Faculty of Engineering, Hokkaido University) ,  TAKANO Yoshihiko (MANA, National Institute for Materials Science) ,  TANAKA Isao (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 126  号： 7  ページ： 591-593(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NaF処理により,層状化合物Bi₂(O,F)S₂を合成した。種々の量のNaF粉末によるBi₂OS₂の400°C,熱処理は,Bi₂(O,F)S₂超伝導体を生成した。NaFは他の供給源と比較すると低コストで安定したフッ素化源であった。NaF処理はBi₂(O,F)S₂のa軸を増加させた。得られたBi₂(O,F)S₂の最大超伝導転移温度は4.7Kであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 熱処理 ,  フッ素化 ,  *超伝導体 ,  フッ化ナトリウム ,  層状化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  フッ化物 ,  酸化物 ,  硫化物 ,  粉体 ,  転移温度 ,  超伝導転移温度

著者キーワード (2件)： フッ素化 ,  層状超伝導体

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

引用文献 (16件)：

• 1) Y. Mizuguchi, S. Demura, K. Deguchi, Y. Takano, H. Fujihisa, Y. Gotoh, H. Izawa and O. Miura, J. Phys. Soc. Jpn., 81, 114725 (2012).
• 2) J. Xing, S. Li, X. Ding, H. Yang and H. H. Wen, Phys. Rev. B, 86, 214518 (2012).
• 3) R. Jha, A. Kumar, S. K. Singh and V. P. S. Awana, J. Supercond. Nov. Magn., 26, 499–502 (2013).
• 4) S. Demura, Y. Mizugichi, K. Deguchi, H. Okazaki, H. Hara, T. Watanabe, S. J. Denholme, M. Fujioka, T. Ozaki, H. Fujihisa, Y. Gotoh, O. Miura, T. Yamaguchi, H. Takeya and Y. Takano, J. Phys. Soc. Jpn., 82, 033708 (2013).
• 5) D. Yazici, K. Huang, B. D. White, A. H. Chang, A. J. Friedman and M. B. Maple, Philos. Mag., 93, 673–680 (2013).

タイトルに関連する用語 (2件)： NaF ,  超伝導体