NaF処理によるBi<sub>2</sub>(O,F)S<sub>2</sub>超伝導体の合成

TAKAHASHI Natsuumi; NAGAO Masanori; MIURA Akira; WATAUCHI Satoshi; TADANAGA Kiyoharu; TAKANO Yoshihiko; TANAKA Isao

文献

J-GLOBAL ID：201802267749651325 整理番号：18A1420429

NaF処理によるBi₂(O,F)S₂超伝導体の合成

Synthesis of Bi₂(O,F)S₂ superconductors by NaF treatment

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巻： 126 号： 7 ページ： 591-593(J-STAGE) 発行年： 2018年
JST資料番号： U0409A ISSN： 1348-6535 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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NaF処理により,層状化合物Bi₂(O,F)S₂を合成した。種々の量のNaF粉末によるBi₂OS₂の400°C,熱処理は,Bi₂(O,F)S₂超伝導体を生成した。NaFは他の供給源と比較すると低コストで安定したフッ素化源であった。NaF処理はBi₂(O,F)S₂のa軸を増加させた。得られたBi₂(O,F)S₂の最大超伝導転移温度は4.7Kであった。(翻訳著者抄録)

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引用文献 (16件)：

1) Y. Mizuguchi, S. Demura, K. Deguchi, Y. Takano, H. Fujihisa, Y. Gotoh, H. Izawa and O. Miura, J. Phys. Soc. Jpn., 81, 114725 (2012).
2) J. Xing, S. Li, X. Ding, H. Yang and H. H. Wen, Phys. Rev. B, 86, 214518 (2012).
3) R. Jha, A. Kumar, S. K. Singh and V. P. S. Awana, J. Supercond. Nov. Magn., 26, 499–502 (2013).
4) S. Demura, Y. Mizugichi, K. Deguchi, H. Okazaki, H. Hara, T. Watanabe, S. J. Denholme, M. Fujioka, T. Ozaki, H. Fujihisa, Y. Gotoh, O. Miura, T. Yamaguchi, H. Takeya and Y. Takano, J. Phys. Soc. Jpn., 82, 033708 (2013).
5) D. Yazici, K. Huang, B. D. White, A. H. Chang, A. J. Friedman and M. B. Maple, Philos. Mag., 93, 673–680 (2013).

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