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J-GLOBAL ID：201802270036173320   整理番号：18A1104747

微小重力下の垂直勾配凍結法によるIn_xGa_1-xSbの配向依存溶解と成長速度論【JST・京大機械翻訳】

Orientation-dependent dissolution and growth kinetics of In_xGa_1-xSb by vertical gradient freezing method under microgravity

著者 (12件)： Nirmal Kumar V. (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, Japan) ,  Hayakawa Y. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Arivanandhan M. (Centre for Nanoscience and Technology, Anna University, Chennai, India) ,  Rajesh G. (Tagore Institute of Engineering and Technology, Deviyakurichi, Attur, India) ,  Koyama T. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Momose Y. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Ozawa T. (Department of Electrical Engineering, Shizuoka Institute of Science and Technology, Shizuoka, Japan) ,  Okano Y. (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, Japan) ,  Okano Y. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan) ,  Okano Y. (Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Osaka, Japan) ,  Inatomi Y. (Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency, Sagamihara, Japan) ,  Inatomi Y. (Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 496-497  ページ： 15-17  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (110),(111)A,および(111)B面から,微小重力下で,GaxGa_1-xSb結晶を成長させ,それらの溶解と成長速度論を議論した。溶解速度が変化した場合でも,溶解形状は配向に依存しなかった。(110)の成長速度は(111)Bと(111)A実験の間にあった。成長速度は溶融物中の濃度勾配の確立を通して溶解過程によって大きく影響される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *溶解 ,  メルト ,  溶解速度 ,  *成長速度 ,  *微小重力 ,  結晶 ,  *凍結 ,  濃度勾配
準シソーラス用語： *成長速度論 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1 方向性凝固 ,  A2 メルトからの成長 ,  A2 微小重力条件 ,  B2 半導体III-V材料

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属の結晶成長  (BK13030M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 微小 ,  重力 ,  垂直 ,  勾配 ,  配向 ,  溶解 ,  成長速度論