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J-GLOBAL ID：201802287645163822   整理番号：18A1669536

ウェットプロセスによる裏面アルミナパッシベーション膜の評価

著者 (3件)： 渡邊良祐 (弘前大) ,  小山翼 (成蹊大) ,  齋藤洋司 (成蹊大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 179(CPM2018 8-19)  ページ： 43-46  発行年： 2018年08月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン太陽電池の裏面パッシベーション膜として,近年アルミナが注目されている。アルミナは負の固定電荷をもつため,表面の電子を反発する電界効果パッシベーションが期待できる。我々はアルミナをゾルゲルウェットプロセスにて太陽電池の裏面に形成し,作製した太陽電池の特性評価を行った。また,シリコン太陽電池で一般的に用いられているSiO₂パッシベーション膜についてもゾルゲル法にて裏面に作製し,裏面アルミナパッシベーション膜を形成した場合との太陽電池特性の比較を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  *不動態化 ,  *太陽電池 ,  *アルミナ ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  *パッシベーション

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (12件)：

• 太陽光発電開発戦略,NEDO PV Challenges(2014).
• N. Watanabe, Y. Kondo, D. Ide, T. Matsuki, and I. Sakata, ′′Characterization of polycrystalline silicon wafers for solar cells sliced with novel fixed-abrasive wire′′, Prog. Photovol. Res. Appl. 18, pp.485- 490(2010).
• G. P. Willeke, ′′Thin crystalline silicon solar cells′′, Solar Energy Materials & Solar cells 72, pp.191- 200(2002).
• 宮島晋介,「結晶シリコン太陽電池における界面不活性膜」,J. Plasma Fusion Res.85,12, pp.820- 824(2009).
• 白沢勝彦,福井健次,「結晶系Si太陽電池の表面・バルクパッシベーション」,表面科学17,9, pp.510-515(1996).

タイトルに関連する用語 (4件)： ウェットプロセス ,  アルミナ ,  パッシベーション膜 ,  評価