高温プラズマエッチングのための塩素プラズマとスピンオン型高分子マスクの間の反応機構

ZHANG Yan; IMAMURA Masato; ISHIKAWA Kenji; TSUTSUMI Takayoshi; KONDO Hiroki; SEKINE Makoto; HORI Masaru

文献

J-GLOBAL ID：201802290985628370 整理番号：18A2161648

高温プラズマエッチングのための塩素プラズマとスピンオン型高分子マスクの間の反応機構

Reaction mechanisms between chlorine plasma and a spin-on-type polymer mask for high-temperature plasma etching

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著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 57 号： 10 ページ： 106502.1-106502.8 発行年： 2018年10月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

高温プラズマエッチングにおけるマスク材料の要求を満たすために,高温Cl₂プラズマエッチングの際のノボラックベース高分子マスクを評価した。8nm/分のエッチ速度は230°Cの低温ではかなり高かったが,温度の上昇とともに減少した。赤外およびRamanスペクトルから確認されたように,芳香環構造は300°C以上の過程で真空紫外(VUV)およびClラジカルにより著しく修飾され,表面で高度に架橋した非晶質炭素(a-C)層に変換された。このa-C層の形成は高分子マスクのエッチング耐性を改善した。一方,表面粗さは,a-C層の生成に対応して300°C以上のプロセス後にも改善され得る。したがって,この高分子マスクは,高いエッチング耐性を有する高温プラズマエッチングの有望な候補であり,300°C以上のプロセスで滑らかな表面を得ることができる。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (38件)：

R. Kometani, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, M. Sekine, and M. Hori, Appl. Phys. Express 6, 056201 (2013).
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Z. Liu, M. Imamura, A. Asano, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, O. Oda, M. Sekine, and M. Hori, Appl. Phys. Express 10, 086502 (2017).
Z. Liu, A. Asano, M. Imamura, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, O. Oda, M. Sekine, and M. Hori, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 096501 (2017).
Z. Liu, J. Pan, A. Asano, K. Ishikawa, K. Takeda, H. Kondo, O. Oda, M. Sekine, and M. Hori, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 026502 (2017).

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