特許
J-GLOBAL ID:201803000726770927

半導体ナノワイヤレーザーおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山川 茂樹 ,  小池 勇三 ,  山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-152594
公開番号(公開出願番号):特開2018-022762
出願日: 2016年08月03日
公開日(公表日): 2018年02月08日
要約:
【課題】InAs量子井戸とInP障壁層とによる多重量子井戸構造のナノワイヤによる半導体ナノワイヤレーザーで、実用的な発光強度が得られるようにする。【解決手段】第1工程S101で、基板の上にInからなる種微粒子を成長させ、第2工程S102で、種微粒子よりInAsからなる井戸層(量子井戸層)とInPからなる障壁層とを交互に成長させてナノワイヤ部を成長させる。ナノワイヤ部の成長では、P原料ガスに対してIn原料ガスの供給量を多くした条件で障壁層を成長し、In原料ガスに対してAs原料ガスの供給量を多くした条件で井戸層を成長する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
InAsからなる井戸層とInPからなる障壁層とが交互に積層した多重量子井戸構造のナノワイヤ部と、 前記ナノワイヤ部の一方の端部の端面および他方の端部の端面を反射面とするファブリペロー共振器と を備える半導体ナノワイヤレーザーの製造方法であって、 基板の上に種微粒子を成長させる第1工程と、 前記種微粒子より前記井戸層と前記障壁層とを交互に成長させて前記ナノワイヤ部を成長させる第2工程と、 前記種微粒子を除去する第3工程と、 前記ナノワイヤ部を前記基板より分離する第4工程と を備え、 前記第2工程では、 P原料に対してIn原料の供給量を多くした条件で前記障壁層を成長し、 In原料に対してAs原料の供給量を多くした条件で前記井戸層を成長する ことを特徴とする半導体ナノワイヤレーザーの製造方法。
IPC (1件):
H01S 5/343
FI (1件):
H01S5/343
Fターム (4件):
5F173AF08 ,  5F173AH30 ,  5F173AP05 ,  5F173AR14
引用特許:
審査官引用 (6件)
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