特許
J-GLOBAL ID：201803001803341755

化合物半導体熱電材料及びその製造方法

発明者：
オ-ジョン・クウォン

オ-ジョン・クウォン について

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ヒョン-ウォ・チェ

ヒョン-ウォ・チェ について

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ビョン-キュ・リム

ビョン-キュ・リム について

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ミョン-ジン・ジュン

ミョン-ジン・ジュン について

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チョル-ヒ・パク

チョル-ヒ・パク について


出願人/特許権者：
エルジー・ケム・リミテッド

エルジー・ケム・リミテッド について


代理人 (2件)： 実広 信哉 ,  渡部 崇
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-560214
公開番号（公開出願番号）：特表2018-523294
出願日： 2016年07月21日
公開日（公表日）： 2018年08月16日
要約：
優れたパワーファクター及びZT値を有することで熱電変換性能に優れ、特に低温での熱電変換性能に優れた化合物半導体熱電材料とその製造方法、そしてそれを用いた熱電モジュール、熱電発電装置及び熱電冷却装置などを提供する。本発明による化合物半導体熱電材料は、n型化合物半導体マトリクス、及び前記マトリクス内に分散した前記マトリクスと異種の化合物半導体であって、平均粒径が1μm〜100μmであるn型粒子を含む。
請求項（抜粋）：
n型化合物半導体マトリクスと、 前記マトリクス内に分散した前記マトリクスと異種の化合物半導体であって、平均粒径が1μm〜100μmであるn型粒子と、を含む化合物半導体熱電材料。
IPC (5件)：
H01L 35/26 ,  H01L 35/34 ,  H01L 35/16 ,  B22F 3/14 ,  B22F 1/00
FI (7件)：
H01L35/26 ,  H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  B22F3/14 101C ,  B22F1/00 C ,  B22F1/00 R ,  B22F1/00 J
Fターム (12件)：
4K018AA40 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC01 ,  4K018BC12 ,  4K018CA02 ,  4K018DA31 ,  4K018DA32 ,  4K018EA01 ,  4K018EA21 ,  4K018FA01 ,  4K018KA32
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (15件)
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